申請人:吉林大學(xué)
發(fā)明人:周強 付鑫鵬 李芳菲
摘要:本發(fā)明的向金剛石對頂砧轉(zhuǎn)移二維層狀半導(dǎo)體材料的裝置和方法屬于高壓裝置的技術(shù)領(lǐng)域。裝置結(jié)構(gòu)有光學(xué)顯微鏡(9)、樣品臺(4)、三維平移臺(5)、延展臂(6)、豎井(7)和玻璃片(8)。利用本發(fā)明可以將二維層狀半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)移到金剛石對頂砧中,克服了傳統(tǒng)技術(shù)中襯底材料形變影響樣品材料性質(zhì)的弊端,更打破了目前少數(shù)層級二維層狀半導(dǎo)體材料高壓下電學(xué)性能測量中的技術(shù)壁壘。

2.一種向金剛石對頂砧轉(zhuǎn)移二維層狀半導(dǎo)體材料的方法,其特征在于,利 用權(quán)利要求1所述的向金剛石對頂砧轉(zhuǎn)移二維層狀半導(dǎo)體材料的裝置完成,具體 有以下步驟:第一步,在膠膜襯底上用機械剝離方法制備樣品,所述的膠膜襯底是聚二甲 基硅氧烷膠膜,將膠膜襯底剪成面積1.5cm2的正方形,去掉前后的保護膜,貼 到一個干凈的載玻片上,然后將一塊二維層狀半導(dǎo)體材料放到膠帶中,將膠帶反 復(fù)對折撕開,直至膠帶上均勻分布著一層樣品,將帶有樣品的膠帶覆蓋到膠膜襯 底上,撕下膠帶,在膠膜襯底上留存了二維層狀半導(dǎo)體材料,最后將膠膜襯底放 到光學(xué)顯微鏡(9)下找到樣品,并在膠膜襯底上直接進行光學(xué)手段表征,以確 定目標樣品的層數(shù);第二步,將帶有目標樣品的膠膜襯底用手術(shù)刀切割成所需的尺寸,從載玻片 上取下,粘貼到豎井(7)底部的玻璃片(8)的下表面上,膠膜襯底不帶樣品的 一面與豎井(7)底部的玻璃片(8)接觸,帶樣品的一面與空氣接觸;第三步,將金剛石對頂砧的上砧(11)和下砧(12)分開,使樣品腔(2) 和金屬墊片(3)依舊停留在上砧(11)中,將下砧(12)放到樣品臺(4)上, 利用光學(xué)顯微鏡(9)找到下砧(12)的砧面,并將擬放置樣品的目標位置移至 光學(xué)顯微鏡(9)的視野中心;第四步,使豎井(7)位于下砧(12)的砧面的上方,且?guī)в心繕藰悠返哪z 膜襯底不與下砧(12)的砧面接觸,調(diào)節(jié)光學(xué)顯微鏡(9)的焦距,使其聚焦在 膠膜襯底上,調(diào)節(jié)三維平移臺(5),使目標樣品處于視野中心,此時目標樣品與 其擬轉(zhuǎn)移到的目標位置在豎直方向上是對齊的,然后調(diào)節(jié)三維平移臺(5),使目 標樣品向下,直至下砧(12)的砧面與膠膜襯底之間存在壓力,然后調(diào)節(jié)三維平 移臺(5),使膠膜襯底與下砧(12)的砧面分離,由于吸附作用,目標樣品被吸 附于下砧(12)的砧面上;第五步,將金剛石對頂砧的樣品腔(2)中充上傳壓介質(zhì),并將金剛石對頂 砧的下砧(12)與上砧(11)復(fù)位;所述的金剛石對頂砧是活塞圓筒型金剛石對頂砧。