申請(qǐng)人:上海征世科技有限公司
發(fā)明人:龔闖 鄭燦
摘要:本實(shí)用新型涉及金剛石生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,尤其是用于等離子體化學(xué)氣相沉積法雙向生長(zhǎng)單晶金剛石的襯底托。包括水冷基片臺(tái),所述水冷基片臺(tái)上設(shè)有襯底托,所述襯底托由水平底部和中心凸起部位組成,所述襯底托水平底部為圓盤(pán),所述中心凸起部位設(shè)有方形通孔,所述方形通孔個(gè)數(shù)≥1且為任意幾何形狀。本實(shí)用新型的襯底托為一體式組成,水平圓盤(pán)與水冷基片臺(tái)直接接觸,起到較好的散熱作用,豎直襯底托處于等離子體中,起到固定單晶金剛石種子的作用并將種子雙面接觸等離子體,這樣雙面生長(zhǎng)單晶金剛石,單位時(shí)間內(nèi)有效速率太高了一倍,減少生長(zhǎng)時(shí)間和生長(zhǎng)步驟,能夠滿足工業(yè)化生產(chǎn)要求。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于雙向生長(zhǎng)單晶金剛石的襯底托,其特征在于:所述襯底托為鉬或鎢或鉭制成的組件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于雙向生長(zhǎng)單晶金剛石的襯底托,其特征在于:所述通孔(3)個(gè)數(shù)為1個(gè)時(shí),所述通孔(3)位于襯底托的中心凸起部位(2-2)中心。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于雙向生長(zhǎng)單晶金剛石的襯底托,其特征在于:所述通孔(3)個(gè)數(shù)為多個(gè)時(shí),所述通孔(3)均勻?qū)ΨQ分布在襯底托中心凸起部位(2-2)中心。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于雙向生長(zhǎng)單晶金剛石的襯底托,其特征在于:所述襯底托中心凸起部位(2-2)和通孔(3)為正方形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于雙向生長(zhǎng)單晶金剛石的襯底托,其特征在于:所述襯底托水平底部(2-1)圓盤(pán)直徑為10-300mm,厚度為1-20mm;所述襯底托中心凸起部位(2-2)尺寸為5-100mm,厚度為0.5-10mm;所述通孔(3)的尺寸為1-30mm,厚度為0.5-10mm。