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　　申請人：史密斯國際有限公司
　　發(fā)明人：Y·鮑 L·趙 J·D·貝爾納普 Z·林

　　摘要：一種制造切割元件的方法，包括將金剛石顆粒與碳酸鹽材料的混合物暴露于高壓高溫燒結條件下以形成燒結的具有金剛石基質的碳酸鹽多晶金剛石本體，所述基質具有由結合在一起的金剛石晶粒和駐留于所述金剛石晶粒之間的間隙區(qū)域中的碳酸鹽，所述碳酸鹽材料非均勻地分布遍及金剛石基質。將所述碳酸鹽多晶金剛石本體進一步暴露于受控的溫度、受控的壓力或它們的組合下，以實現所述碳酸鹽材料的至少部分分解。

　　主權利要求：1.一種制造切割元件的方法，包括：將金剛石顆粒與碳酸鹽材料的混合物暴露于高壓高溫燒結條件下以形成燒結的具有金剛石基質的碳酸鹽多晶金剛石本體，所述基質具有結合在一起的金剛石晶粒以及駐留于所述金剛石晶粒之間的間隙區(qū)域中的碳酸鹽，所述碳酸鹽材料非均勻地分布遍及金剛石基質；以及將所述碳酸鹽多晶金剛石本體進一步暴露于受控的溫度、受控的壓力或它們的組合下，以實現所述碳酸鹽材料的至少部分分解。
　　2.如權利要求1所述的方法，其中，碳酸鹽材料部分分解成金屬氧化物導致形成分布于所述基質中的通道。
　　3.如權利要求2所述的方法，其中，在所述碳酸鹽材料分解后所形成的通道呈現非均勻分布。
　　4.如權利要求1所述的方法，其中，所述碳酸鹽材料包括作為雜質的SiO2。
　　5.如權利要求4所述的方法，其中，在所述碳酸鹽材料部分分解成至少一種金屬氧化物的過程中，所述至少一種金屬氧化物與作為雜質存在于 所述碳酸鹽材料中的SiO2反應，從而導致形成至少一種金屬硅酸鹽。
　　6.如上述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述碳酸鹽材料包括堿土金屬碳酸鹽。
　　7.如權利要求6所述的方法，其中，所述碳酸鹽材料包括碳酸鎂和碳酸鈣中的至少一種。
　　8.如權利要求6所述的方法，其中，所述碳酸鹽材料是碳酸鎂。
　　9.如上述權利要求中任一項所述的方法，其中，碳酸鹽多晶金剛石的高壓高溫燒結本體包括上表面、底表面、上表面和底表面之間的圓周側表面以及上表面和圓周側表面之間的圓周切割邊緣。
　　10.如權利要求9所述的方法，其中，碳酸鹽多晶金剛石的高壓高溫燒結本體的高度小于碳酸鹽多晶金剛石的高壓高溫燒結本體的直徑。
　　11.如上述權利要求中任一項所述的方法，其中，碳酸鹽多晶金剛石本體包括形成并鄰近所述圓周切割邊緣的第一區(qū)域以及遠離所述第一區(qū)域軸向、徑向或以兩種方式相結合的方式延伸的第二區(qū)域，其中，所述第二區(qū)域比所述第一區(qū)域具有更高濃度的碳酸鹽材料。
　　12.如權利要求11所述的方法，其中，碳酸鹽基多晶金剛石本體的第一區(qū)域包括從約0至5重量百分比的碳酸鹽材料。
　　13.如權利要求11所述的方法，其中，碳酸鹽基多晶金剛石本體的第二區(qū)域包括從約2至9重量百分比的碳酸鹽材料。
　　14.一種切割元件，包括：氧化物基多晶金剛石本體，包括：形成基質相的多個結合在一起的金剛石晶粒；介于結合在一起的金剛石晶粒之間的多個間隙區(qū)域；以及非均勻地布置在所述間隙區(qū)域內的氧化物材料；以及所述氧化物基多晶金剛石本體進一步包括形成并鄰近切割邊緣的第一區(qū)域以及遠離所述第一區(qū)域軸向、徑向或以兩種方式相結合的方式延伸的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域比所述第一區(qū)域具有更高濃度的碳酸鹽材料。
　　15.如權利要求14所述的切割元件，其中，氧化物材料選自堿土金屬氧化物。
　　16.如權利要求15所述的切割元件，其中，氧化物材料包括氧化鎂和氧化鈣中的至少一種。
　　17.如權利要求15所述的切割元件，其中，氧化物材料是氧化鎂。
　　18.如權利要求14-17中任一項所述的切割元件，其中，氧化物基多晶金剛石本體中還包括至少一種金屬硅酸鹽。
　　19.如權利要求14-18中任一項所述的切割元件，其中，氧化物基多晶金剛石本體的第一區(qū)域包括從約1至3重量百分比的氧化物材料。
　　20.如權利要求14-19中任一項所述的切割元件，其中，氧化物基多晶金剛石本體的第二區(qū)域包括從約2至9重量百分比的氧化物材料。 　　
　　21.如權利要求14-20中任一項所述的切割元件，其中，氧化物基多晶金剛石本體進一步包括氧化鎂、氧化鈣和它們的組合中的至少一種，且氧化物基多晶金剛石本體進一步包括通道，而且所述氧化鎂、氧化鈣和它們的組合中的至少一種遍布金剛石基質分布。
　　22.一種切割元件，包括：碳酸鹽基多晶金剛石本體，包括：形成基質相的多個結合在一起的金剛石晶粒；介于結合在一起的金剛石晶粒之間的多個間隙區(qū)域；以及非均勻地布置在所述間隙區(qū)域內的碳酸鹽材料；以及所述碳酸鹽基多晶金剛石本體進一步包括形成并鄰近切割邊緣的第一區(qū)域以及遠離所述第一區(qū)域軸向、徑向或以兩種方式相結合的方式延伸的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域比所述第一區(qū)域具有更高濃度的碳酸鹽材料。