申請?zhí)枺?01510863881.4
　　申請人：西北工業(yè)大學(xué)
　　發(fā)明人：劉永勝 趙志峰 張青 成來飛
　　摘要：本發(fā)明涉及一種大粒徑Diamond/SiC復(fù)合材料的制備方法，采用一次成型大粒徑金剛石預(yù)制體與CVI工藝結(jié)合的方法，制得Diamond/SiC復(fù)合材料。采用該方法提高了復(fù)合材料中金剛石的粒徑和體積含量，從而有效的提高了復(fù)合材料的熱導(dǎo)率。使得熱導(dǎo)率較之流延結(jié)合CVI方法制備的復(fù)合材料提高約30％。不僅如此，該方法生產(chǎn)工藝簡單、可控，可用于工業(yè)化生產(chǎn)。 　　主權(quán)利要求：1.一種大粒徑Diamond/SiC復(fù)合材料的制備方法，其特征在于步驟如下：步驟1：將56％～66％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的金剛石粉料、0.35％～1.38％質(zhì)量份數(shù)的防沉增稠劑、3.5％～4.2％質(zhì)量份數(shù)的聚乙烯醇縮丁醛和30.3％～38.3％質(zhì)量份數(shù)的溶劑混合球磨后得到漿料；所述溶劑為1∶1質(zhì)量比的無水乙醇和丁酮的混合溶劑；所述各組份的質(zhì)量總和為百分之百；步驟2：將混合好的漿料倒入模具中，待其在空氣環(huán)境下自然干燥后，脫模后制得厚度約為2-3mm的金剛石預(yù)制體；所述模具的內(nèi)表面涂刷脫模劑；步驟3：將金剛石預(yù)制體采用石墨夾具后，放入化學(xué)氣相滲透爐CVI爐進(jìn)行化學(xué)氣相滲透制備得到Diamond/SiC復(fù)合材料；當(dāng)Diamond/SiC復(fù)合材料表面出現(xiàn)SiC殼層后，將其表面的SiC殼層打磨掉后繼續(xù)進(jìn)行沉積，直至Diamond/SiC復(fù)合材料的密度達(dá)到約3.1g/cm3。
　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述大粒徑Diamond/SiC復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所 述步驟1的球磨是：球磨滾筒速率為50-300r/min，時(shí)間為5-15h。
　　3.根據(jù)權(quán)利要求1所述大粒徑Diamond/SiC復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所 述步驟3的CVI法生成SiC基體的工藝為：以三氯甲基硅烷MTS作為先驅(qū)體，氫 氣作為載氣，氬氣作為稀釋氣體，其流率比為1:5～50:2～20，總氣壓為0.5～5kPa， 沉積溫度為873～1773K。
　　4.根據(jù)權(quán)利要求1所述大粒徑Diamond/SiC復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所 述金剛石粉料的粒徑為50～500um。