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       申請(qǐng)人：常州寶頤金剛石科技有限公司

       發(fā)明人：史玉芬 周學(xué)芹 劉小利

       摘要： 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于生長(zhǎng)金剛石單晶的新型籽晶托盤，用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的諧振腔腔體內(nèi)，置于諧振腔腔體內(nèi)的基臺(tái)上，托盤的中心端面開(kāi)設(shè)有凹坑，所述凹坑出口端與托盤端面所在水平面是由斜面過(guò)渡連接，所述凹坑大于等于1個(gè)，本實(shí)用新型是將托盤中心設(shè)計(jì)成一種凹坑，在金剛石生長(zhǎng)過(guò)程中能夠降低電磁場(chǎng)的不連續(xù)性，抑制籽晶邊緣處的過(guò)快生長(zhǎng)，提高金剛石單晶的品質(zhì)。

       主權(quán)利要求：1.一種用于生長(zhǎng)金剛石單晶的新型籽晶托盤，其特征在于：用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的諧振腔腔體(1)內(nèi)，置于諧振腔腔體內(nèi)的基臺(tái)(2)上，托盤(3)的中心端面開(kāi)設(shè)有凹坑(4)，所述凹坑(4)出口端與托盤(3)端面所在水平面是由斜面(5)過(guò)渡連接，所述凹坑(4)大于等于1個(gè)。

       2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于生長(zhǎng)金剛石單晶的新型籽晶托盤，其特 征在于：所述托盤(3)呈圓柱狀，且所述凹坑(4)為臺(tái)階孔。

       3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于生長(zhǎng)金剛石單晶的新型籽晶托盤，其特 征在于：所述凹坑(4)為1個(gè)時(shí)，位于托盤上端的中心部位。

       4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于生長(zhǎng)金剛石單晶的新型籽晶托盤，其特 征在于：所述凹坑(4)為多個(gè)時(shí)，對(duì)稱分布在托盤(3)上端的中心部位。

       5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于生長(zhǎng)金剛石單晶的新型籽晶托盤，其特 征在于：所述托盤(3)的直徑Φ為15～75mm，高度h1為10～80mm。

       6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于生長(zhǎng)金剛石單晶的新型籽晶托盤，其特 征在于：所述凹坑(4)形狀由兩種立體形狀組合而成，所述凹坑(4)的下部 和中部呈四方體狀，上部呈正四棱臺(tái)狀。

       7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種用于生長(zhǎng)金剛石單晶的新型籽晶托盤，其特 征在于：上部正四棱臺(tái)狀凹坑(4)的橫截面為上底面大下底面小的結(jié)構(gòu)，其中 上底面邊長(zhǎng)d2為4.5～13.5mm，下底面邊長(zhǎng)與凹坑(4)中部四方體的底面邊長(zhǎng) 大小相同，為3.5～12.5mm，深度h3為0.5～1mm。

       8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用于生長(zhǎng)金剛石單晶的新型籽晶托盤，其特 征在于：所述凹坑(4)的底部四方體狀的邊長(zhǎng)d1為3～12mm，深度h2為1～7mm。

       9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種用于生長(zhǎng)金剛石單晶的新型籽晶托盤，其特 征在于：所述凹坑(4)中部四方體狀凹坑的底面邊長(zhǎng)為3.5～12.5mm，深度h3 為0.5～1mm。