2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，在步驟A之前還包括步驟：A₀.將石英基片放入醇溶液中進行超聲清洗，然后用去離子水進行超聲洗滌，取出后烘干。 

　　3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，在步驟C和D之間還包括：C₀.在石英基片上制備多層具有濃度梯度的摻納米金剛石微粉的二氧化硅薄膜。 

　　4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，在步驟D和E之間還包括：D₀.將步驟D處理后的石英基片放入丙酮溶液中進行超聲清洗，然后再用去離子水進行超聲洗滌，取出后進行表面干燥處理。 

　　5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，步驟B、步驟C以及步驟C₀進行之前先將溶膠進行超聲波處理，分散溶膠顆粒形成的不穩(wěn)定的物理團聚；和石英基片上成膜是在相對濕度小于50%的環(huán)境下進行。 

　　6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，步驟A中所述溶膠是通過向正硅酸乙酯溶液中滴加去離子水和無水乙醇，調(diào)節(jié)pH至3-5，再加入乙酰胺制得。 
　
　　7.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，所述步驟B、步驟C以及步驟C₀中甩膠機的轉(zhuǎn)速為2000-4000r/min，持續(xù)時間為20s；所述步驟C和步驟C₀中摻入的納米金剛石微粉粒徑為5-50nm。 

　　8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，所述步驟C和步驟C₀中制備摻納米金剛石微粉的二氧化硅薄膜后，將石英基片放入烘箱中在溫度400-600℃下，熱處理2小時。 

　　9.根據(jù)權(quán)利要求3或8所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，所述步驟C₀中形成的摻納米金剛石微粉的二氧化硅薄膜為1-4層。 

　　10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，步驟A中所述溶膠密閉后在50-100℃的溫度下，陳化兩天。