申請?zhí)枺?01310403745

　　申請人：藍(lán)思科技股份有限公司

　　摘要：本發(fā)明公開了一種環(huán)氧樹脂型金剛石研磨墊及其制備方法，該環(huán)氧樹脂型金剛石研磨墊由下至上依次為雙面膠層、PC板層、雙面膠層、PET膜層、金剛石層；制備方法是先通過模具成型制備方形磨塊坯體，粘貼PET膜，采用熱壓法固化，再通過雙面膠粘貼PC板，PC板上預(yù)貼雙面膠，即得；該制備方法簡單、操作簡便、成本低，制得的環(huán)氧樹脂型金剛石研磨墊具有較高磨削效率和磨削精度，且使用壽命長，用于玻璃、陶瓷、寶石等材質(zhì)的加工可獲得良好表面質(zhì)量，產(chǎn)品良率增高，產(chǎn)品的生產(chǎn)成本降低。

　　獨(dú)立權(quán)利要求：1.一種環(huán)氧樹脂型金剛石研磨墊，由下至上依次為雙面膠層、PC板層、雙面膠層、PET膜層、金剛石層，其特征在于，所述的金剛石層為由以下質(zhì)量百分比組分原料制成的方形磨塊構(gòu)成：環(huán)氧樹脂40～60%；金剛石8～15%；硅灰石10～30%；鋁粉1～5%；石墨5～10%；碳化硅8～15%。

　　2.如權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂型金剛石研磨墊，其特征在于，所述的方形磨塊是長為2.5～3.5mm，寬為2.5～3.5mm，高為1.0～1.5mm的塊狀體，其中，長和寬相等。

　　3.如權(quán)利要求2所述的環(huán)氧樹脂型金剛石研磨墊，其特征在于，所述的方形磨塊以相等的縱橫間距1～2mm有序排布在PET膜層上。

　　4.如權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂型金剛石研磨墊，其特征在于，所述的PET膜層厚度為115～135μm；所述的雙面膠層厚度為230～270μm；所述的PC板厚度為750～850μm。

　　5.如權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂型金剛石研磨墊，其特征在于，所述的金剛石平均粒徑為10～60μm；所述的碳化硅平均粒徑小于25μm，且碳化硅的平均粒徑比所述金剛石的平均粒徑小；所述的硅灰石平均粒徑小于15μm；所述的石墨平均粒徑小于20μm；所述的鋁粉平均粒徑小于10μm。

　　6.一種如權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的環(huán)氧樹脂型金剛石研磨墊的制備方法，其特征在于，將各金剛石層原料混合均勻后填充到模具中，將模具中填充好的混合原料表面刮平整后，進(jìn)行真空除泡處理，再進(jìn)一步刮平整；在進(jìn)一步刮平整的混合原料表面粘貼PET膜后，置于固化爐中進(jìn)行熱壓固化，冷卻、脫模；再通過雙面膠粘貼PC板，在PC板上預(yù)留雙面膠，即得；所述的熱壓固化的條件：在90～105℃，保持0.3～0.7h；110～120℃，保持0.3～0.7h；125～140℃，保持1.5～3h。

　　7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述的模具底部設(shè)有若干長為2.5～3.5mm，寬為2.5～3.5mm，深度為1.0～1.5mm，且長和寬相等的方形凹槽。

　　8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述的方形凹槽以相等的縱橫間距1～2mm有序排布在模具底部。

　　9.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述的真空除泡處理時(shí)間為60～80min。

　　10.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述金剛石原料的混合包括粉體混料或液體混料；所述的粉體混料將金剛石層原料倒入混料機(jī)中攪拌30～40min；所述的液體混料是將溶劑倒入分散機(jī)中攪拌10～20min后，再將金剛石層原料攪拌均勻，在30～40min內(nèi)，分多批加到運(yùn)行的分散機(jī)中，攪拌均勻。