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官方微信摘要 名稱一種在鈦碳化硅材料表面制備硅化物涂層的方法公開號1379000公開日2002.11.13主分類號C04B41/8
| 名稱 | 一種在鈦碳化硅材料表面制備硅化物涂層的方法 | ||
| 公開號 | 1379000 | 公開日 | 2002.11.13 |
| 主分類號 | C04B41/81 | 分類號 | C04B41/81;C04B41/87 |
| 申請?zhí)?/strong> | 02109468.3 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 2002.04.12 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請人 | 中國科學(xué)院金屬研究所 | 地址 | 110016遼寧省沈陽市沈河區(qū)文化路72號 |
| 發(fā)明人 | 張亞明;李美栓;劉光明;周延春 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 沈陽科苑專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 許宗富;周秀梅 |
| 摘要 | 本發(fā)明屬于表面工程技術(shù)，具體是一種在鈦碳化硅(Ti#-[3]SiC#-[2])材料表面制備硅化物涂層的方法，滲料由硅粉、氧化鋁粉、氟硅酸鉀、氟化鈉固體粉末混合物組成，Ti#-[3]SiC#-[2]材料用滲料包埋后在1000～1200℃保溫2～8小時(shí)進(jìn)行熱擴(kuò)散處理。所獲得的涂層由二硅化鈦(TiSi#-[2])和碳化硅(SiC)兩相組成，厚度為10～60微米。涂層在1000～1200℃空氣中氧化后主要形成SiO#-[2] 膜，恒溫氧化的拋物線速度常數(shù)相比Ti#-[3]SiC#-[2]材料降低了2～3個(gè)數(shù)量級，應(yīng)用本發(fā)明可使Ti#-[3]SiC#-[2]材料應(yīng)用于高溫腐蝕性環(huán)境中。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號