名稱 | 超細(xì)氮化硅微粉氣相合成新工藝 | ||
公開號 | 1280955 | 公開日 | 2001.01.24 |
主分類號 | C01B21/068 | 分類號 | C01B21/068 |
申請?zhí)?/strong> | 99109605.3 | ||
分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | ||
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
申請人 | 劉慶昌 | 地址 | 050011河北省石家莊市建設(shè)南大街24號 |
發(fā)明人 | 劉慶昌 | 國際申請 | |
國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
專利代理機(jī)構(gòu) | 河北省專利事務(wù)所 | 代理人 | 王苑祥 |
摘要 | 本發(fā)明是一種制備超細(xì)氮化硅微粉的氣相合成新工藝,新工藝中采取直流等離子弧為熱源的密閉反應(yīng)容器中完成氣相合成,所采用的基料為四氯化硅和氨,兩者按1∶1.5—1.9比例(單位時間內(nèi)注入液態(tài)重量比)注入反應(yīng)器,在反應(yīng)器內(nèi)完成氣相合成,并借助自由沉降過程中淬冷直接變成固態(tài)微粉,反應(yīng)器內(nèi)借助調(diào)控等離子體發(fā)生器輸功率和N#-[2]、H#-[2]比例穩(wěn)定離子弧,并保持反應(yīng)溫度在1000℃—1500℃之間,經(jīng)淬冷細(xì)化的微粉經(jīng)加熱后處理去除氯化物雜質(zhì)生成高純度納米級的Si#-[3]N#-[4]微粉。 |