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官方微信摘要 名稱碳化硅質(zhì)窯爐用具及其制造方法公開號(hào)1125840公開日1996.07.03主分類號(hào)F27D5/00
| 名稱 | 碳化硅質(zhì)窯爐用具及其制造方法 | ||
| 公開號(hào) | 1125840 | 公開日 | 1996.07.03 |
| 主分類號(hào) | F27D5/00 | 分類號(hào) | F27D5/00 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 95103594.0 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1995.03.27 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1994.12.27[33]JP[31]325267/94 | |
| 申請(qǐng)人 | 日本礙子株式會(huì)社; NGK.阿德列克株式會(huì)社 | 地址 | 日本愛知縣 |
| 發(fā)明人 | 白川浩; 山川治 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
| 國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 盧新華; 楊麗琴 |
| 摘要 | 本發(fā)明描述具有下述特征的ＳｉＣ質(zhì)窯爐用具：向最大粒徑為４ｍｍ的ＳｉＣ粉末中添加０．０１～０．７％的Ｖ#-[2]O#-[5]、０．０１～０．７％的ＣａＯ和０．０１～５％的粘土，成型煅燒成ＳｉＣ質(zhì)窯爐用具；將該窯爐用具的表層和中心部分分別用粉末Ｘ射線衍射法用ＣｕＫ_α線測(cè)定，求得２θ為２１．９°的方英石衍射峰高相對(duì)２θ為３４．０°的碳化硅衍射峰高之比時(shí)，中心部分的上述比值相對(duì)于表層部分的上述比值的比例為２０％以上；常溫時(shí)的抗彎強(qiáng)度是在１４００℃時(shí)的抗彎強(qiáng)度±２０％的范圍內(nèi)。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號(hào)