“在過去20多年中，圍繞IGBT器件產(chǎn)生了非常多的專利，歐洲、美國和日本的公司已經(jīng)在這個領(lǐng)域形成了巨大的技術(shù)優(yōu)勢。”飛兆半導(dǎo)體亞太區(qū)市場行銷暨應(yīng)用工程副總裁藍(lán)建銅在接受《中國電子報》記者采訪時表示，“如果僅就硅基IGBT而言，我認(rèn)為中國本土企業(yè)很難參與競爭。但是，如果使用化合物半導(dǎo)體等新材料，將把IGBT產(chǎn)業(yè)引入一個新的競爭平臺，在這個領(lǐng)域，中國企業(yè)還是有機(jī)會的。不過，在我看來，新材料的成熟還需要大約10年的時間。”
　　據(jù)浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院長江特聘教授盛況介紹，碳化硅、氮化鎵和金剛石是常見的三種寬禁帶半導(dǎo)體材料，目前已有多家國外企業(yè)批量生產(chǎn)4英寸碳化硅晶圓，6英寸的碳化硅晶圓也將很快出現(xiàn)，使碳化硅成為三種寬禁帶材料中最成熟的技術(shù)，為碳化硅功率器件的發(fā)展提供堅實的基礎(chǔ)。“不過，由于碳化硅單晶片和外延材料的價格昂貴，使得碳化硅器件的價格都相當(dāng)高，這成為它們大規(guī)模進(jìn)入市場應(yīng)用的一個門檻。”盛況補(bǔ)充道。
　　國外企業(yè)也沒有忽視新材料、新器件的研發(fā)。“從2009年到2011年的三年間，我們將集中力量研發(fā)碳化硅器件。”西村隆司說，“由于碳化硅器件的成本很高，所以，市場對這種器件的認(rèn)可度取決于它能在多大程度上降低系統(tǒng)的整體成本。舉例而言，在高速電氣列車上，如果用硅基IGBT，需要配備一個很大的冷卻裝置；但如果使用碳化硅器件，冷卻裝置就可以小型化甚至可以省去，這對高速列車而言很有吸引力。因此，碳化硅器件將在特定的領(lǐng)域逐漸發(fā)揮其優(yōu)勢。”