近日，法國格勒諾布爾的Diamfab公司和HiQuTe Diamond公司宣布建立戰(zhàn)略技術(shù)合作伙伴關(guān)系，共同致力于人造金剛石半導體技術(shù)的開發(fā)。此次合作涵蓋了從襯底生產(chǎn)到電子元件制造的關(guān)鍵階段，旨在通過摻雜層的外延技術(shù)，推動金剛石半導體在工業(yè)領(lǐng)域的廣泛應用。

       據(jù)悉，HiQuTe Diamond公司將利用其在高質(zhì)量金剛石襯底生產(chǎn)方面的專業(yè)知識，為合作提供經(jīng)過優(yōu)化的襯底。這些襯底經(jīng)過特殊設計，能夠最大限度地提高電力電子設備的性能。而Diamfab公司則負責使用先進的晶體生長工藝，對摻雜層進行外延生長，并制造高性能組件。

       兩家公司表示，由于地理位置接近和行業(yè)敏捷性，他們有信心加快技術(shù)迭代周期，迅速實現(xiàn)前所未有的技術(shù)和財務績效。這一合作將使金剛石半導體技術(shù)更快地成為工業(yè)現(xiàn)實，為電氣化的廣泛采用和經(jīng)濟部門的脫碳提供有力支持。

       Diamfab公司的首席執(zhí)行官Gauthier Chicot表示：“金剛石半導體的性能水平比基于傳統(tǒng)材料的組件高出10-40倍，是實現(xiàn)電氣化和脫碳目標的關(guān)鍵。通過與HiQuTe Diamond合作，我們擁有意愿、技術(shù)和人力資源，在法國創(chuàng)造這個卓越的行業(yè)。”

       HiQuTe Diamond公司的首席執(zhí)行官Florent Alzetto也指出：“等離子體輔助CVD生長工藝可以生產(chǎn)出特別適用于電力電子要求苛刻的硼摻雜金剛石。這種可持續(xù)的工藝不僅確保了對物理特性的嚴格控制，還能有效應對性能挑戰(zhàn)。我們和Diamfab的專業(yè)知識融合，為應對性能和能源效率方面的全球工業(yè)挑戰(zhàn)提供了前所未有的機會?！?/p>

       根據(jù)計劃，兩家公司將開始合作，使用Diamfab優(yōu)化的金剛石外延技術(shù)，在HiQuTe Diamond襯底上制造第一個系列的垂直肖特基二極管。預計第一批原型將于2025年春季推出，這將標志著金剛石半導體技術(shù)在工業(yè)應用方面的重要突破。

       此次合作不僅展示了法國在高科技領(lǐng)域的創(chuàng)新實力，也為全球半導體行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。