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超材料石墨烯開(kāi)發(fā)取得重大突破

關(guān)鍵詞 超材料 , 石墨烯|2010-01-22 00:00:00|來(lái)源 《科技日?qǐng)?bào)》
摘要 包括英國(guó)國(guó)家物理實(shí)驗(yàn)室在內(nèi)的跨歐研究小組開(kāi)發(fā)出了一種令人難以置信的石墨烯材料,其將成為微型芯片和觸摸屏等未來(lái)高速電子產(chǎn)品的關(guān)鍵成分。在該成果的推進(jìn)下,生產(chǎn)出作為未來(lái)納米技術(shù)基礎(chǔ)的新...

  包括英國(guó)國(guó)家物理實(shí)驗(yàn)室在內(nèi)的跨歐研究小組開(kāi)發(fā)出了一種令人難以置信的石墨烯材料,其將成為微型芯片和觸摸屏等未來(lái)高速電子產(chǎn)品的關(guān)鍵成分。在該成果的推進(jìn)下,生產(chǎn)出作為未來(lái)納米技術(shù)基礎(chǔ)的新材料研究又向前邁了一步。
  
  石墨烯早已展示出其巨大的潛力,但之前僅能實(shí)現(xiàn)小規(guī)模生產(chǎn),對(duì)更好地測(cè)量、理解和開(kāi)發(fā)造成了局限。在1月17日出版的《自然·納米技術(shù)》雜志上,研究人員首次向人們展示了如何擴(kuò)展石墨烯尺寸并提升質(zhì)量以滿足實(shí)際開(kāi)發(fā)的方法,并成功地測(cè)量了其電子特性。這些重大突破克服了擴(kuò)展石墨烯技術(shù)應(yīng)用中的兩個(gè)最大障礙。
  
  到目前為止,高質(zhì)量的石墨烯只能以幾分之一毫米的形式體現(xiàn),使用的是諸如用膠帶從石墨晶體上一層層加以剝離的辦法。要產(chǎn)生出可實(shí)用的電子器件則需要生長(zhǎng)出更大尺寸的材料。而現(xiàn)在,研究人員終于首次用較大面積(大約50平方毫米)的石墨烯層成功制造并運(yùn)行了大量的電子器件。
  
  這個(gè)石墨烯樣本是在碳化硅上以外延法生成的,外延法是一種在一個(gè)晶體層上生長(zhǎng)出另一晶體層的方法。有了這樣具有重要意義的樣本,不僅證明石墨烯能以可擴(kuò)展的方式實(shí)際制作出來(lái),也使得科學(xué)家可更好地理解其重要性能。
  
  該項(xiàng)目的第二個(gè)重要突破是實(shí)現(xiàn)了以前所未有的精確度來(lái)測(cè)量石墨烯的電特性,從而為建立起更簡(jiǎn)便、更準(zhǔn)確的標(biāo)準(zhǔn)鋪平了道路。
  
  測(cè)量電阻的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)都基于量子霍爾效應(yīng),即二維材料的電特性只能由其基本自然常數(shù)決定。截至目前,這種效應(yīng)只在少量傳統(tǒng)半導(dǎo)體中才能展現(xiàn)出足夠的精度。此外,這樣的測(cè)量還需要在接近絕對(duì)零度的溫度下進(jìn)行,同時(shí)還需施加非常強(qiáng)的磁場(chǎng),但全世界僅有少數(shù)幾家專業(yè)實(shí)驗(yàn)室具備這樣的條件。
  
  長(zhǎng)期來(lái)講,石墨烯傾向于能提供一個(gè)更好的標(biāo)準(zhǔn),但目前的樣本尚不足以做到這一點(diǎn)。通過(guò)產(chǎn)生足夠大小和質(zhì)量的樣本及準(zhǔn)確地展示霍爾電阻,研究人員已證明石墨烯具有大規(guī)模取代傳統(tǒng)半導(dǎo)體的潛力。
  
  此外石墨烯可在更高溫度下展示量子霍爾效應(yīng)。這意味著石墨烯電阻標(biāo)準(zhǔn)可得到更廣泛的運(yùn)用,也將有更多的實(shí)驗(yàn)室能滿足測(cè)量所需的條件。除了運(yùn)行速度和耐用性方面的優(yōu)勢(shì),這也將加快生產(chǎn)進(jìn)程,使未來(lái)以石墨烯為基礎(chǔ)的電子技術(shù)產(chǎn)品成本降低。
  
  英國(guó)國(guó)家物理實(shí)驗(yàn)室量子檢測(cè)組的亞歷山大·察侖丘克教授指出,此項(xiàng)目最令人轟動(dòng)的是,大面積的外延石墨烯不僅展示了其結(jié)構(gòu)連續(xù)性,而且在精確測(cè)量所需的完美度上并不遜于發(fā)展歷史更悠久的傳統(tǒng)半導(dǎo)體。

 

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