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官方微信摘要 名稱反應(yīng)離子束刻蝕金剛石薄膜圖形工藝公開號(hào)1224077公開日1999.07.28主分類號(hào)C23F1/02
| 名稱 | 反應(yīng)離子束刻蝕金剛石薄膜圖形工藝 | ||
| 公開號(hào) | 1224077 | 公開日 | 1999.07.28 |
| 主分類號(hào) | C23F1/02 | 分類號(hào) | C23F1/02 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 98122855.0 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1998.12.17 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請(qǐng)人 | 中國(guó)科學(xué)院上海冶金研究所 | 地址 | 200050上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) |
| 發(fā)明人 | 任琮欣; 江炳堯; 王效東; 楊藝榕 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
| 國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 上海華東專利事務(wù)所 | 代理人 | 沈德新 |
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種反應(yīng)離子束刻蝕金剛石薄膜圖形工藝。金剛石薄膜由熱絲法生長(zhǎng)在硅片上，刻蝕圖形在具有卡夫曼型離子源的離子束刻蝕機(jī)上，采用純氧反應(yīng)離子束，以鋁膜為掩模進(jìn)行。鋁掩?？捎晒饪獭⒏g或氬離子束刻蝕形成。氧分壓下，金剛石和鋁的刻蝕速率差別很大，金剛石對(duì)鋁的刻蝕選擇比可達(dá)到４０。刻蝕后殘留的鋁由腐蝕去除，是一種工藝簡(jiǎn)單，重復(fù)性好，刻蝕線條清晰、陡直，可與微電子工藝兼容的金剛石圖形化技術(shù)。 | ||
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