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在低熔點(diǎn)襯底上淀積金剛石狀碳膜的方法

關(guān)鍵詞 低熔點(diǎn)襯底 , 金剛石狀碳膜|2010-12-09 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱在低熔點(diǎn)襯底上淀積金剛石狀碳膜的方法公開號(hào)1064710公開日1992.09.23主分類號(hào)C23C14/30&n

 

名稱 低熔點(diǎn)襯底上淀積金剛石狀碳膜的方法 
公開號(hào) 1064710  公開日 1992.09.23   
主分類號(hào) C23C14/30  分類號(hào) C23C14/30;C23C14/06;G02B1/10;G02B1/04 
申請(qǐng)?zhí)?/strong> 91101620.1   
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong>   申請(qǐng)日 1991.03.13   
頒證日   優(yōu)先權(quán)  
申請(qǐng)人 博士倫有限公司    地址 美國紐約州  
發(fā)明人 邁克爾·J·坎博    國際申請(qǐng)  
國際公布   進(jìn)入國家日期  
專利代理機(jī)構(gòu) 中國專利代理(香港)有限公司    代理人 肖掬昌; 曹濟(jì)洪   
摘要   在充有選擇性腐蝕氣體(例如氫)的真空度不同的小室中用經(jīng)電子束蒸發(fā)的固體碳源在絕緣襯底上淀 積金剛石狀碳膜,以便使襯底的溫度維持在150℃ 以下。為了用帶正電的離子轟擊襯底同時(shí)防止排斥性表面電荷聚集,往夾持襯底的旋轉(zhuǎn)夾具上加一個(gè)射頻電場(chǎng)。抽成不同真空度的小室保持小室一端固體碳源周圍的環(huán)境壓強(qiáng)使其低得足以防止電子束能量損耗,并使碳得以蒸發(fā),同時(shí)保持小室另一端的襯底使其處于較高的壓強(qiáng),從而使射頻電場(chǎng)得以激活襯底周圍的離子氣體等離子體,以便淀積金剛石狀碳膜。    
 

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