名稱 | 在低熔點(diǎn)襯底上淀積金剛石狀碳膜的方法 | ||
公開號(hào) | 1064710 | 公開日 | 1992.09.23 |
主分類號(hào) | C23C14/30 | 分類號(hào) | C23C14/30;C23C14/06;G02B1/10;G02B1/04 |
申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 91101620.1 | ||
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1991.03.13 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
申請(qǐng)人 | 博士倫有限公司 | 地址 | 美國紐約州 |
發(fā)明人 | 邁克爾·J·坎博 | 國際申請(qǐng) | |
國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
專利代理機(jī)構(gòu) | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖掬昌; 曹濟(jì)洪 |
摘要 | 在充有選擇性腐蝕氣體(例如氫)的真空度不同的小室中用經(jīng)電子束蒸發(fā)的固體碳源在絕緣襯底上淀 積金剛石狀碳膜,以便使襯底的溫度維持在150℃ 以下。為了用帶正電的離子轟擊襯底同時(shí)防止排斥性表面電荷聚集,往夾持襯底的旋轉(zhuǎn)夾具上加一個(gè)射頻電場(chǎng)。抽成不同真空度的小室保持小室一端固體碳源周圍的環(huán)境壓強(qiáng)使其低得足以防止電子束能量損耗,并使碳得以蒸發(fā),同時(shí)保持小室另一端的襯底使其處于較高的壓強(qiáng),從而使射頻電場(chǎng)得以激活襯底周圍的離子氣體等離子體,以便淀積金剛石狀碳膜。 |