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官方微信摘要 名稱金剛石膜的選擇性氣相生長公開號(hào)1045815公開日1990.10.03主分類號(hào)C23C16/26
| 名稱 | 金剛石膜的選擇性氣相生長 | ||
| 公開號(hào) | 1045815 | 公開日 | 1990.10.03 |
| 主分類號(hào) | C23C16/26 | 分類號(hào) | C23C16/26;C23C16/04;H01L21/31 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 89107565.8 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1989.09.29 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請(qǐng)人 | 吉林大學(xué) | 地址 | 吉林省長春市朝陽區(qū)解放大路83號(hào) |
| 發(fā)明人 | 鄒廣田 | 國際申請(qǐng) | |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 吉林大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人 | 王恩遠(yuǎn) |
| 摘要 | 本發(fā)明屬一種在半導(dǎo)體襯底表面選擇性生長金剛石膜的方法。本方法利用了在不同材料表面金剛石成核密度具有很大差異這一性質(zhì)，實(shí)現(xiàn)了金剛石膜的選擇性生長。主要工藝過程為研磨，生長隔離膜，光刻，制備金剛石膜，化學(xué)腐蝕等，所制備的金剛石膜具有質(zhì)量高，選擇性生長好，不破壞襯底等優(yōu)點(diǎn)，而且制備參數(shù)易于控制，工藝簡單，成品率高。本方法制備的金剛石膜可應(yīng)用于大規(guī)模集成電路，微波器件，光電器件等半導(dǎo)體器件的制備。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號(hào)