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基于金剛石NV-色心的納米級三維磁共振分子成像裝置

關(guān)鍵詞 金剛石 , 三維磁共振|2016-08-15 08:51:54|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 申請?zhí)枺?01610104365.8申請人:哈爾濱醫(yī)科大學發(fā)明人:申寶忠摘要:本發(fā)明公開一種基于金剛石NV?色心的納米級三維磁共振分子成像裝置,包括:玻璃底座;激光器,設置在所述玻...
  申請?zhí)枺?01610104365.8
  申請人:哈爾濱醫(yī)科大學
  發(fā)明人:申寶忠

  摘要:本發(fā)明公開一種基于金剛石NV?色心的納米級三維磁共振分子成像裝置,包括:玻璃底座;激光器,設置在所述玻璃底座的內(nèi)部,用于向外部發(fā)射激光;含有NV?色心的金剛石,設置在所述玻璃底座的上表面所述激光器發(fā)出的激光直接照射至所述金剛石;微波脈沖器,用于向所述金剛石輸入微波脈沖;顯微鏡物鏡,使所述金剛石的NV?色心發(fā)出的熒光通過所述顯微鏡物鏡向外發(fā)射;單色濾光片,用于過濾所述金剛石的NV?色心發(fā)出的熒光;納米凸透鏡,將過濾后的所述金剛石的NV?色心發(fā)出的熒光進一步集中;分布式光學成像鏡頭,用以實現(xiàn)成像功能;封裝設備,用于實現(xiàn)穩(wěn)定溫度、屏蔽電磁以及隔離保護的功能。

  主權(quán)利要求:1.一種基于金剛石NV-色心的納米級三維磁共振分子成像裝置,其特征在于,包括:玻璃底座,設置于所述成像裝置的底部,用于承載其它元件;激光器,設置在所述玻璃底座的內(nèi)部,用于向外部發(fā)射激光;含有NV-色心的金剛石,設置在所述玻璃底座的上表面,與所述激光器相對應,所述激光器發(fā)出的激光直接照射至所述金剛石;微波脈沖器,與所述金剛石相連,用于向所述金剛石輸入微波脈沖;顯微鏡物鏡,設置在所述玻璃底座的正上方,與所述金剛石相對應,使所述金剛石的NV-色心發(fā)出的熒光通過所述顯微鏡物鏡向外發(fā)射;單色濾光片,設置在所述顯微鏡物鏡的正上方,用于過濾所述金剛石的NV-色心發(fā)出的熒光;納米凸透鏡,設置在所述單色濾光片的正上方,將過濾后的所述金剛石的NV-色心發(fā)出的熒光進一步集中;分布式光學成像鏡頭,設置在所述納米凸透鏡的正上方,實現(xiàn)成像功能;封裝設備,環(huán)形圍繞在所述成像裝置的四周,用于實現(xiàn)穩(wěn)定溫度、屏蔽電磁以及隔離保護的功能。
  2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置,其特征在于,還包括:偏振磁場旋轉(zhuǎn)軌道,同心設置在所述封裝設備內(nèi)部,所述偏振磁場旋轉(zhuǎn)軌道為 圓環(huán)形;偏置磁場,設置在所述偏振磁場旋轉(zhuǎn)軌道上,能夠沿著所述偏振磁場旋轉(zhuǎn)軌道進行360°旋轉(zhuǎn)運動。
  3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像裝置,其特征在于,所述單色濾光片允許波長為637nm的熒光通過。
  4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像裝置,其特征在于,所述激光器用于發(fā)出波長為532nm的脈沖激光。
  5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像裝置,其特征在于,所述脈沖微波器用于發(fā)射頻率為2.87GHz的脈沖微波。
 

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