申請?zhí)枺?01510255980.4
　　申請人：西安交通大學
　　發(fā)明人：吳勝利 張程高 魏強 王宏興 胡文波 張勁濤

　　摘要：本發(fā)明公開了一種用于二次電子發(fā)射的金剛石薄膜的制備方法，包括以下步驟：1)取金屬鉬基板，然后將金屬鉬基板通過金剛石粉進行研磨，再將研磨后的金屬鉬基板放置到金剛石粉的懸濁液中進行超聲震動；2)將經(jīng)步驟1)處理后的金屬鉬基板通過MPCVD沉積設備以甲烷、氫氣及氧氣的混合氣體為反應氣體進行金剛石薄膜生長，得用于二次電子發(fā)射的金剛石薄膜，其中，甲烷、氧氣及氧氣的體積百分比為4-6：94-96：0-2，生長過程中MPCVD沉積設備的微波功率為4500-5000w，溫度為1050-1100℃。本發(fā)明制備的金剛石薄膜具有較高的二次電子發(fā)射系數(shù)及更好的衰減特性。 　　主權利要求：1.一種用于二次電子發(fā)射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：1)取金屬鉬基板，然后將金屬鉬基板通過金剛石粉進行研磨，再將研磨后的金屬鉬基板放置到金剛石粉的懸濁液中進行超聲震動，然后再對金屬鉬基板進行清洗；2)將經(jīng)步驟1)處理后的金屬鉬基板通過MPCVD沉積設備以甲烷、氫氣及氧氣的混合氣體為反應氣體進行金剛石薄膜生長，得用于二次電子發(fā)射的金剛石薄膜，其中，甲烷、氧氣及氧氣的體積百分比為4-6：94-96：0-2，生長過程中MPCVD沉積設備的微波功率為4500-5000w，溫度為1050-1100℃。
　　2.根據(jù)權利要求1所述的用于二次電子發(fā)射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，所述金屬鉬基板的待沉積面為平面或圓弧面。
　　3.根據(jù)權利要求2所述的用于二次電子發(fā)射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，當金屬鉬基板的待沉積面為平面時，步驟1)的具體操作為：取金屬鉬基板，然后將金屬鉬基板通過金剛石粉進行研磨15-20min， 再將研磨后的金屬鉬基板放置到金剛石粉的懸濁液中進行超聲震動 5-20min。
　　4.根據(jù)權利要求2所述的用于二次電子發(fā)射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，當金屬鉬基板的待沉積面為圓弧面時，步驟1)的具體操作為：取金屬鉬基板，然后將金屬鉬基板通過金剛石粉進行研磨 20-25min，再將研磨后的金屬鉬基板放置到金剛石粉的懸濁液中進行超聲震動5-20min。
　　5.根據(jù)權利要求1所述的用于二次電子發(fā)射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1)中將金屬鉬基板通過粒徑為1-10μm的金剛石粉進行研磨。
　　6.根據(jù)權利要求1所述的用于二次電子發(fā)射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1)中的金剛石粉的懸濁液為金剛石粉的丙酮懸濁液。
　　7.根據(jù)權利要求1所述的用于二次電子發(fā)射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1)中對金屬鉬基板進行清洗的具體操作為：通過丙酮溶液、酒精及去離子依次對金屬鉬基板進行超聲清洗。