獨(dú)立權(quán)利要求：1.一種鎳-立方氮化硼薄膜的制備方法，首先對(duì)陰陽極基材和立方氮化硼粉體進(jìn)行潔凈處理，然后將處理過的陰陽極基材和立方氮化硼粉體放入到鍍液中進(jìn)行電鍍，其特征在于：所述鍍液由硼酸、氯化銨、氨基磺酸鎳和十二烷基硫酸鈉溶解在去離子水中制成，電鍍時(shí)每升鍍液中含有硼酸30-50g、氯化銨5-15g、氨基磺酸鎳280-320g、十二烷基硫酸鈉0.6-1.0g以及立方氮化硼粉體25-45g，同時(shí)，在電鍍時(shí)向鍍液中施加功率為250-260W、頻率為20-40KHz的超聲波。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鎳-立方氮化硼薄膜的制備方法，其特征在于：所述電鍍時(shí)每升鍍液中含有硼酸35-45g、氯化銨8-12g、氨基磺酸鎳290-310g、十二烷基硫酸鈉0.7-0.9g和立方氮化硼粉體30-40g。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鎳-立方氮化硼薄膜的制備方法，其特征在于：所述電鍍時(shí)鍍液中施加的超聲波的頻率為32-36 KHz。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鎳-立方氮化硼薄膜的制備方法，其特征在于：所述電鍍時(shí)施加的電流密度為3-5A/dm2，同時(shí)對(duì)鍍液進(jìn)行攪拌，攪拌速度為360-420r/min，并控制鍍液的溫度為40-60℃。 5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種鎳-立方氮化硼薄膜的制備方法，其特征在于：所述電鍍時(shí)施加的電流密度為3.5-4.5 A/dm2，攪拌鍍液的速度為380-400 r/min，控制鍍液的溫度為45-55℃。