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申請?zhí)枺?span>201080004584申請人：六號元素有限公司
摘要：用于合成單晶金剛石的高壓高溫(HPHT)方法，其中描述了使用具有至少(1)的縱橫比和基本上平行于{110}晶面的生長表面的單晶金剛石籽晶。在1280℃-1390℃范圍內(nèi)的溫度下進行生長。
獨立權利要求：1.合成單晶金剛石的方法，包括：(a)選擇具有生長表面的單晶金剛石籽晶，該生長表面具有兩個正交尺度a*和b*，其中a*是在生長表面的平面內(nèi)基本沿著或方向的生長表面的最長尺度，且b*是在與位于生長表面平面內(nèi)的a*正交的方向上的生長表面的最長尺度，其中由a*/b*定義的生長表面的縱橫比為至少1并且生長表面基本平行于{110}晶面；(b)將籽晶安裝在襯底表面之上或之內(nèi)，使得籽晶的生長表面得到暴露，且籽晶的生長表面基本平行于襯底表面；和(c)在高壓高溫環(huán)境下，于1280℃-1390℃范圍內(nèi)的溫度下在使得在籽晶的至少生長表面上產(chǎn)生單晶金剛石的條件下進行晶體生長；其中，合成的單晶金剛石具有沿著或方向的最長尺度a#，該最大尺度a#超過至少2mm。
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