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官方微信摘要 名稱一種硅基納米金剛石薄膜的制備方法申請?zhí)?01210064534申請日2012年3月13日公開號102605345A公開日
| 名稱 | 一種硅基納米金剛石薄膜的制備方法 | ||
| 申請?zhí)?/strong> | 201210064534 | 申請日 | 2012年3月13日 |
| 公開號 | 102605345A | 公開日 | 2012年7月25日 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 天津佳盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司( 12002 ) | 代理人 | 侯力 |
| 申請人 | 天津理工大學(xué) | 地址 | 天津市西青區(qū)賓水西道391號天津理工大學(xué)主校區(qū)科技處 |
| 發(fā)明人 | 朱寧 張聰聰 戴偉 曲長慶 吳小國 尹振超 | 主分類號 | C23C 16/44 |
| 國家/省市 | 中國天津( 12 ) | 分類號 | C23C 16/44 C23C 16/27 |
| 摘要 | 一種硅基納米金剛石薄膜的制備方法，采用直流等離子噴射ＣＶＤ制備，步驟如下：１）刻制圓柱體型石墨基臺，并在其上表面中心刻出圓形凹槽；２）用金剛石微粉在硅片表面產(chǎn)生劃傷和缺陷；３）在真空條件下通入反應(yīng)氣體在硅片上沉積納米金剛石薄膜，沉積過程包括形核和生長并采用不同的工藝參數(shù)；４）緩慢降至常溫即可。本發(fā)明的優(yōu)點是：該制備方法將硅片置于石墨基臺的圓形凹槽內(nèi)，通過對溫度場的模擬，有效地降低了硅片沉底的表面溫度，通過控制沉積參數(shù)利用直流等離子噴射ＣＶＤ制備的納米金剛石薄膜雜質(zhì)少、晶像一致、無缺陷，且生長速度較微波等離子ＣＶＤ快、面積大，有利于大規(guī)模生產(chǎn)。 | ||
| 獨立權(quán)利要求 | １．一種硅基納米金剛石薄膜的制備方法，其特征在于：采用直流等離子噴射ＣＶＤ制備，步驟如下：１）刻制圓柱體型石墨基臺，并在其上表面中心刻出圓形凹槽；２）用金剛石微粉在硅片表面產(chǎn)生劃傷和缺陷；３）將處理后的硅片放置在上述石墨基臺的凹槽內(nèi)，將石墨基臺置于ＣＶＤ設(shè)備的銅基臺上，石墨基臺與噴射口距離４０ｍｍ，將反應(yīng)室的壓強(qiáng)抽至－１００以下，分別通入氫氣，氬氣，甲烷，其中氬氣作為電離氣體、甲烷作為碳源、氫氣作為氫源，在硅片上沉積納米金剛石薄膜，沉積過程包括形核過程和生長過程，形核過程的工藝參數(shù)：氣體流量分別為氫氣６ｓｌｍ（標(biāo)準(zhǔn)升／分鐘）、氬氣４ｓｌｍ、甲烷１００ｓｃｃｍ（標(biāo)況毫升／分鐘）、腔壓５０００Ｐａ、弧電壓１１０ｖ、弧電流９０Ａ、基片溫度９００℃、保溫時間為１０ｍｉｎ，然后轉(zhuǎn)入生長過程，生長過程的工藝參數(shù)：氣體流量分別為氫氣６ｓｌｍ、氬氣２ｓｌｍ、甲烷６０ｓｃｃｍ、腔壓５０００Ｐａ、弧電壓１１０ｖ、弧電流９０Ａ、基片溫度１０００℃、保溫時間為５０ｍｉｎ；４）將上述硅片降至常溫，先后關(guān)閉甲烷，氫氣，最后逐漸關(guān)閉氬氣，整個降溫過程持續(xù)５ｍｉｎ，即可制得硅基納米金剛石薄膜。 | ||
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豫公網(wǎng)安備41019702003646號