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官方微信摘要 名稱一種制備碳化硅/碳，碳化硼/碳功能梯度材料的方法公開號1364745公開日2002.08.21主分類號C04B3
| 名稱 | 一種制備碳化硅/碳，碳化硼/碳功能梯度材料的方法 | ||
| 公開號 | 1364745 | 公開日 | 2002.08.21 |
| 主分類號 | C04B35/56 | 分類號 | C04B35/56;C04B35/64 |
| 申請?zhí)?/strong> | 01100449.5 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 2001.01.12 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請人 | 北京科技大學(xué) | 地址 | 100083北京市海淀學(xué)院路30號 |
| 發(fā)明人 | 葛昌純;曹文斌;沈衛(wèi)平;李江濤;武安華 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 北京科大華誼專利代理事務(wù)所 | 代理人 | 劉月娥 |
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種通過成分分布設(shè)計(jì)和熱壓燒結(jié)方法制備SiC/C和B#-[4]C/C功能梯度材料的方法。特征在于：向低原子序數(shù)陶瓷－碳塊體梯度材料原料中加入燒結(jié)助劑，對于SiC/C FGM，采用活性碳粉和B粉作SiC的燒結(jié)助劑，SiC的燒結(jié)助劑B+C含量應(yīng)在1－10wt％(重量百分比)，碳材料添加劑B的含量應(yīng)在 1－10wt％。B#-[4]C/C FGM中加入SiC以提高性能。SiC/C FGM采用線性成分分布設(shè)計(jì)，B#-[4]C/C FGM采用S型成分分布設(shè)計(jì)。在氬氣氣氛中，壓力為15－50MPa、溫度為1900℃－2200℃，保溫1－3小時(shí)。優(yōu)點(diǎn)在于：具有優(yōu)良的耐高溫等離子體沖刷，抗熱沖擊和耐化學(xué)濺射性能。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號