10月10日，據(jù)Tom's hardware報(bào)道，美國(guó)的軍事裝備已感受到中國(guó)限制芯片材料氮化鎵出口造成的影響，面對(duì)中國(guó)在寬帶隙半導(dǎo)體材料——氮化鎵（GaN）供應(yīng)方面的強(qiáng)勢(shì)地位及其近期的出口管制措施，美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局（DARPA）已采取行動(dòng)，委托雷神（Raytheon）公司開(kāi)發(fā)基于人造金剛石和氮化鋁（AlN）的超寬帶隙半導(dǎo)體，以確保美國(guó)的軍事裝備生產(chǎn)，顯示出中國(guó)也能卡美國(guó)的脖子。

       氮化鎵作為一種先進(jìn)的寬帶隙半導(dǎo)體材料，因其3.4 eV的高帶隙值，在高功率和高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色，成為當(dāng)前雷達(dá)和通信系統(tǒng)的重要組成部分。然而，中國(guó)控制著全球大部分的氮化鎵供應(yīng)，并對(duì)其實(shí)施了出口管制，這對(duì)依賴此類(lèi)材料的美國(guó)軍事和通信技術(shù)構(gòu)成了潛在威脅。

       為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，DARPA選擇了在半導(dǎo)體材料開(kāi)發(fā)領(lǐng)域具有深厚經(jīng)驗(yàn)的雷神公司作為合作伙伴。雷神公司的目標(biāo)是利用人造金剛石和氮化鋁這兩種新材料，開(kāi)發(fā)出性能更優(yōu)越、適應(yīng)性更強(qiáng)的功率芯片和射頻放大器。人造金剛石具有約5.5 eV的帶隙，其高頻性能、高電子遷移率、極端熱管理能力和更高功率處理能力均超越了氮化鎵，成為潛在的理想替代材料。而氮化鋁的帶隙更是高達(dá)6.2 eV，進(jìn)一步提升了其在高功率、高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。

       根據(jù)DARPA的合同要求，雷神公司的先進(jìn)技術(shù)團(tuán)隊(duì)將分階段推進(jìn)這一項(xiàng)目。在第一階段，團(tuán)隊(duì)將專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)基于金剛石和氮化鋁的半導(dǎo)體薄膜，為后續(xù)的應(yīng)用打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。第二階段則將致力于研發(fā)和改進(jìn)金剛石和氮化鋁技術(shù)，以支持更大直徑的晶圓生產(chǎn)，特別是針對(duì)傳感器應(yīng)用的需求。這兩個(gè)階段的工作必須在三年內(nèi)完成，凸顯了項(xiàng)目的緊迫性和重要性。

       據(jù)報(bào)道，雷神公司在將氮化鎵和砷化鎵等材料集成到雷達(dá)應(yīng)用中擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)，這也是DARPA選擇與其合作的重要原因。雷神公司先進(jìn)技術(shù)總裁Colin Whelan表示：“這是向前邁出的重要一步，將再次徹底改變半導(dǎo)體技術(shù)。我們將結(jié)合雷神在開(kāi)發(fā)類(lèi)似材料方面的開(kāi)創(chuàng)性歷史和我們?cè)谙冗M(jìn)微電子方面的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，努力使這些新材料成熟起來(lái)，迎接未來(lái)的應(yīng)用挑戰(zhàn)?！?/p>