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官方微信摘要 名稱碳化硅上的鋨整流肖特基和歐姆連接以及W/WC/TiC歐姆接觸公開號1216635公開日1999.05.12主分類號
| 名稱 | 碳化硅上的鋨整流肖特基和歐姆連接以及W/WC/TiC歐姆接觸 | ||
| 公開號 | 1216635 | 公開日 | 1999.05.12 |
| 主分類號 | H01L21/283 | 分類號 | H01L21/283 |
| 申請?zhí)?/strong> | 97193978.0 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1997.03.04 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1996.3.7[33]US[31]08/612,216 | |
| 申請人 | 3C半導(dǎo)體公司 | 地址 | 美國俄勒岡州 |
| 發(fā)明人 | 詹姆斯·D·帕森斯 | 國際申請 | PCT/US97/03497 97.3.4 |
| 國際公布 | WO97/33308 英 97.9.12 | 進入國家日期 | 1998.10.21 |
| 專利代理機構(gòu) | 柳沈知識產(chǎn)權(quán)律師事務(wù)所 | 代理人 | 陶鳳波 |
| 摘要 | ?。觟Ｃ上的金屬鋨（β或γ）形成一接觸。該接觸牢牢地固定在ＳiＣ表面上，并形成一有效阻擋，以防止來自導(dǎo)電金屬的擴散。在n－型ＳiＣ（１２）上，Ｏs（２０）形成一陡變肖特基整流結(jié)和肖特基二極管，前者具有到至少１０５０℃下仍保持不變的操作性能，后者到１１７５℃下仍可操作，并且阻擋高度大于１．５eＶ。在Ｐ－型ＳiＣ上，Ｏs形成一具體接觸電阻小于１０#+[－４] ohm·cm#+[２]的歐姆接觸。與ＳiＣ基底（１２）上的ＴiＣ層（３０）的歐姆肖特基接觸是通過在ＴiＣ層（３０）上沉積一ＷＣ層（３２），接著沉積一Ｗ層（３４）而形成的。這種接觸到至少１１５０℃下仍保持穩(wěn)定。電極（３８）要么直接要么通過保護連接層（３６）（如Ｐt或ＰtＡu合金）來與接觸連接。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號