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碳化硅中形成藍(lán)光發(fā)射二極管

關(guān)鍵詞 碳化硅 , 藍(lán)光發(fā)射二極管 |2010-12-22 00:00:00|行業(yè)專利|來(lái)源 中國(guó)超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱碳化硅中形成藍(lán)光發(fā)射二極管公開號(hào)1044549公開日1990.08.08主分類號(hào)H01L33/00

 

名稱 碳化硅中形成藍(lán)光發(fā)射二極管 
公開號(hào) 1044549  公開日 1990.08.08 
主分類號(hào) H01L33/00  分類號(hào) H01L33/00 
申請(qǐng)?zhí)?/strong> 89109795.3 
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong>   申請(qǐng)日 1989.12.14 
頒證日   優(yōu)先權(quán) [32]1988.12.14[33]US[31]284,293;[32]1989.8.28[33]U 
申請(qǐng)人 克里研究公司  地址 美國(guó)北卡羅來(lái)納州 
發(fā)明人 約翰·A·埃德蒙  國(guó)際申請(qǐng)  
國(guó)際公布   進(jìn)入國(guó)家日期  
專利代理機(jī)構(gòu) 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部  代理人 付康 
摘要   本發(fā)明包含有在碳化硅中形成的發(fā)光二極管,它發(fā)射介于約465至470nm,或介于約455至460nm,或介于約424至428nm波長(zhǎng)的可見光。該二極管包含具有第一導(dǎo)電型的α型碳化硅的基片和在具有相同導(dǎo)電型的用作為基片的在基片上的α型碳化硅的第一外延層。一個(gè)在第一外延層上的α 型碳化硅的第二外延層,具有與第一層相比相對(duì)高的導(dǎo)電型,并與第一外延層形成一個(gè)P-N結(jié)。 

 

 

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