名稱 | 碳化硅中形成藍(lán)光發(fā)射二極管 | ||
公開號(hào) | 1044549 | 公開日 | 1990.08.08 |
主分類號(hào) | H01L33/00 | 分類號(hào) | H01L33/00 |
申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 89109795.3 | ||
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1989.12.14 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1988.12.14[33]US[31]284,293;[32]1989.8.28[33]U | |
申請(qǐng)人 | 克里研究公司 | 地址 | 美國(guó)北卡羅來(lái)納州 |
發(fā)明人 | 約翰·A·埃德蒙 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
專利代理機(jī)構(gòu) | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人 | 付康 |
摘要 | 本發(fā)明包含有在碳化硅中形成的發(fā)光二極管,它發(fā)射介于約465至470nm,或介于約455至460nm,或介于約424至428nm波長(zhǎng)的可見光。該二極管包含具有第一導(dǎo)電型的α型碳化硅的基片和在具有相同導(dǎo)電型的用作為基片的在基片上的α型碳化硅的第一外延層。一個(gè)在第一外延層上的α 型碳化硅的第二外延層,具有與第一層相比相對(duì)高的導(dǎo)電型,并與第一外延層形成一個(gè)P-N結(jié)。 |