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金剛石和納米碳管結(jié)合技術(shù)在量子信息處理領(lǐng)域的應(yīng)用

近日,國(guó)外科學(xué)家們?cè)诔潆娂{米碳管內(nèi)放置一小塊金剛石,研制出了量子信息處理系統(tǒng)的基礎(chǔ)元件。研究者將通電納米碳管的機(jī)械振動(dòng)和金剛石缺陷的磁特性相結(jié)合;這種結(jié)合可以實(shí)現(xiàn)納米碳...

日期 2016-07-19   

納米碳管異質(zhì)結(jié)構(gòu)

具有良好晶界的異質(zhì)結(jié)構(gòu)對(duì)于電子器件來(lái)說(shuō)十分重要。由于單壁納米碳管尺寸小,具有獨(dú)特的電子性質(zhì),因此其制造的異質(zhì)結(jié)構(gòu)引起了特別的興趣。碳化物在電子工業(yè)中扮演著重要的角色。例...

納米碳管的應(yīng)用基礎(chǔ)研究

由于具有獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能,因此,納米碳管及其應(yīng)用的研究正在世界范圍內(nèi)掀起一股熱潮,并在電學(xué)領(lǐng)域取得了很大進(jìn)展,被譽(yù)為“新世紀(jì)科技革命的轉(zhuǎn)折點(diǎn)&rdqu...

日期 2005-08-10   

納米碳管熱學(xué)性質(zhì)

納米碳管最令人矚目的熱學(xué)性能是導(dǎo)熱系數(shù)。理論預(yù)測(cè)納米碳管的導(dǎo)熱系數(shù)很可能大于金剛石而成為世界上導(dǎo)熱率高的材料。不過(guò),測(cè)量單根納米碳管的導(dǎo)熱系數(shù)是一件很困難的事情,目前還...

日期 2005-08-10   

納米碳管的場(chǎng)發(fā)射特性

將CVD方法制成的納米碳管沉積在鉬針尖上,測(cè)試了這種材料的場(chǎng)發(fā)射特性,結(jié)果表明,這種材料可作為一種新型高效的場(chǎng)發(fā)射體。將納米碳管與純鉬針的場(chǎng)發(fā)射特性進(jìn)行比較,證實(shí)了該項(xiàng)...

日期 2005-08-10   

納米碳管的電學(xué)性質(zhì)

納米碳管的電學(xué)性能包括導(dǎo)電性能和超導(dǎo)特性兩個(gè)部分,其中前一部分研究得最多。理論與實(shí)驗(yàn)均證實(shí)納米碳管的導(dǎo)電性質(zhì)與其微結(jié)構(gòu)有著密切的關(guān)系。早期的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),一些納米碳管應(yīng)是金...

日期 2005-08-10   

納米碳管的微結(jié)構(gòu)表征基礎(chǔ)

至今為止,已有不少有關(guān)納米碳管結(jié)構(gòu)模型的報(bào)道。其中以Iijima給出的模型最具有代表性,即認(rèn)為納米碳管是由碳原子組成的層面卷成筒狀形成的管狀纖維。層面內(nèi)的碳原子之間以S...

日期 2005-08-10   

單壁納米碳管的生長(zhǎng)機(jī)理

實(shí)驗(yàn)表明單壁納米碳管與多壁納米碳管生長(zhǎng)的主要區(qū)別在于其生長(zhǎng)必須有催化劑存在。但單壁納米碳管的生長(zhǎng)過(guò)程不同于催化劑法生長(zhǎng)碳纖維的過(guò)程,這是因?yàn)樵趩伪诩{米碳管的頂端并未觀察...

日期 2005-08-10   

多壁納米碳管的生長(zhǎng)機(jī)理——開口與閉口生長(zhǎng)

假設(shè)碳管生長(zhǎng)過(guò)程中始終保持閉口,那么通過(guò)碳原子簇C2的連續(xù)吸附實(shí)現(xiàn)了碳管的軸向生長(zhǎng)。碳管的閉口是由端部形成五邊形環(huán)造成的。在碳管端部的五邊形缺陷有助于這些碳原子簇的吸附...

日期 2005-08-10   

納米碳管形成機(jī)制的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象

盡管納米碳管的研究在制備技術(shù)上已經(jīng)取得了令人矚目的進(jìn)展,但是在理論上對(duì)單壁和多壁納米碳管的生長(zhǎng)機(jī)理的理解還相對(duì)滯后。要制備單壁納米碳管必須使用過(guò)渡族金屬催化劑,而制備多...

日期 2005-08-10   

納米碳管的形成機(jī)制

納米管或納米線的成核階段大部分符合氣-液-固(簡(jiǎn)稱VLS)生長(zhǎng)機(jī)制,有些符合氣-固(簡(jiǎn)稱VS)生長(zhǎng)機(jī)制,其中最重要的是VLS機(jī)制。VLS機(jī)制是由Wagner和Ellis...

日期 2005-08-10   
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