據(jù)在美國佐治亞理工學院的研究人員稱，石墨與傳統(tǒng)的尺寸小于22納米寬的銅互連線相比能承載多達近1000倍的電流，且運行時溫度也低超過10倍。
　　
　　石墨里電子遷移的速度已經(jīng)被吹捧為優(yōu)于銅，但佐治亞學院關于16納米寬的納米帶數(shù)據(jù)只是量化了與銅材料比碳的優(yōu)越性有多大。經(jīng)佐治亞學院測試，石墨納米帶能傳送每平方厘米多達100億安培的電流，可比銅高出達1000倍。
　　
　　“在此之前，還沒有人測量過石墨的電流承載能力，”佐治亞理工學院的納米技術研究中心的高級研究工程師Raghunath Murali說：“石墨的這種性能之前沒被挖掘出來，一種可能性是在我們的實驗結果之前，還沒有進行相關的研究。
　　
　　因為碳的熱導率遠高于銅，所以由高載流能力的碳構成的石墨納米帶其相應的發(fā)熱也少。石墨納米帶的導熱率為1000-1500瓦特每米開爾文——比銅強10倍。佐治亞學院的研究人員也發(fā)表聲明，石墨納米帶能減緩電子遷移，這是當銅的線寬下降到納米級時經(jīng)常會出現(xiàn)的問題。
　　
　　“如果承載的電流量與該線的載流能力相近，那么與載流量遠遠小于載流能力時相比其電子遷移的可能性大，”Murali說，“石墨有比銅高超過兩個數(shù)量級的載流能力，因此當石墨線和銅線運載等量的電流時，石墨能更好地防止電子遷移。”
　　
　　Murali的研究小組通過從石墨塊上取下薄層，并把它們淀積在SOI硅片上來獲得他們的石墨樣本。然后釆用電子束光刻來制造金屬接觸和將石墨切成16-52納米寬，200-1000納米長的平行線。
　　
　　據(jù)佐治亞理工學院的研究人員稱，要實現(xiàn)石墨互連線的商品化，還有3道障礙：即如何在整個晶圓上生長石墨層的方法（因為當今只能在小的厘米級的范圍里輕松生長石墨層），如何形成通孔來連接石墨納米線，及把石墨集成到CMOS工藝線的后端制造中。
　　
　　Murali 是和他的部下Yinxiao Yang, Kevin Brenner, Thomas Beck 還有 Juames Meindl 一起完成這項工作的。該研究由半導體研究公司、國防高級研究項目署、互連焦點中心、納米電子研究機構和納米電子發(fā)明和勘探機構共同贊助。