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鄭州華晶金剛石股份有限公司

日本EDP成功開發(fā)大尺寸高硼濃度金剛石基板,滿足高功率設備需求

關鍵詞 金剛石|2024-10-08 10:21:45|來源 半導體材料行業(yè)分會
摘要 9月26日,日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所(產(chǎn)總研)旗下的EDP公司宣布,公司已成功開發(fā)出一種高濃度硼的大尺寸金剛石襯底,并可立即提供產(chǎn)品。與SiC和GaN相比,金剛石半導體具有優(yōu)越的特性...

       9月26日,日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所(產(chǎn)總研)旗下的EDP公司宣布,公司已成功開發(fā)出一種高濃度硼的大尺寸金剛石襯底,并可立即提供產(chǎn)品。與SiC和GaN相比,金剛石半導體具有優(yōu)越的特性,全球范圍內的設備開發(fā)正在推進。在這樣的市場背景下,該公司于2023年8月推出了高濃度硼摻雜的金剛石、自支撐襯底的低電阻襯底以及在其上形成薄膜的外延生長襯底。然而,7mm×7mm的小尺寸難以滿足大功率控制的大型器件開發(fā)和在單一基板上制造多個設備的需求。

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       左側是RB10102PP(10mm×10mm×0.2mm的低電阻基底,兩面拋光),右側是低電阻最小晶片(資料來源:EDP)

       與碳化硅和氮化鎵相比,金剛石半導體具有更優(yōu)越的特性,全世界都在推動相關器件的開發(fā)?;谶@一市場背景,該公司于2023 年 8月推出了摻有高濃度硼的金剛石和外延生長基板,在獨立的低電阻基板和普通基板上形成了薄膜,但形狀較小,只有7 毫米 x 7 毫米,因此難以開發(fā)控制高功率的大型器件,也難以在一個基板上開發(fā)多個器件。

       因此,在2023年11月,該公司開發(fā)了15mm×15mm的單晶,開始作為籽晶和基板進行銷售。這次他們利用該單晶擴大了低電阻基板的面積,并成功實現(xiàn)了商業(yè)化。新產(chǎn)品基本特性與2023年8月商業(yè)化的低電阻金剛石基板相同,硼含量為2~4×1020/cm3。基板邊長2~13mm,可制作圓形晶圓,因此可生產(chǎn)直徑為12.5mm的晶圓。

       該公司稱將繼續(xù)致力于進一步增大單晶體的尺寸,還將致力于增大與大型單晶體相連的鑲嵌晶片的尺寸。此外,隨著設備開發(fā)的進展,預計將需要具有各種外延薄膜的襯底,公司將擴大外延襯底的范圍,并開發(fā)可促進量子設備開發(fā)的襯底。

 

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