9月26日，日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)總研）旗下的EDP公司宣布，公司已成功開(kāi)發(fā)出一種高濃度硼的大尺寸金剛石襯底，并可立即提供產(chǎn)品。與SiC和GaN相比，金剛石半導(dǎo)體具有優(yōu)越的特性，全球范圍內(nèi)的設(shè)備開(kāi)發(fā)正在推進(jìn)。在這樣的市場(chǎng)背景下，該公司于2023年8月推出了高濃度硼摻雜的金剛石、自支撐襯底的低電阻襯底以及在其上形成薄膜的外延生長(zhǎng)襯底。然而，7mm×7mm的小尺寸難以滿足大功率控制的大型器件開(kāi)發(fā)和在單一基板上制造多個(gè)設(shè)備的需求。

       左側(cè)是RB10102PP（10mm×10mm×0.2mm的低電阻基底，兩面拋光），右側(cè)是低電阻最小晶片（資料來(lái)源：EDP）

       與碳化硅和氮化鎵相比，金剛石半導(dǎo)體具有更優(yōu)越的特性，全世界都在推動(dòng)相關(guān)器件的開(kāi)發(fā)。基于這一市場(chǎng)背景，該公司于2023 年 8月推出了摻有高濃度硼的金剛石和外延生長(zhǎng)基板，在獨(dú)立的低電阻基板和普通基板上形成了薄膜，但形狀較小，只有7 毫米 x 7 毫米，因此難以開(kāi)發(fā)控制高功率的大型器件，也難以在一個(gè)基板上開(kāi)發(fā)多個(gè)器件。

       因此，在2023年11月，該公司開(kāi)發(fā)了15mm×15mm的單晶，開(kāi)始作為籽晶和基板進(jìn)行銷售。這次他們利用該單晶擴(kuò)大了低電阻基板的面積，并成功實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化。新產(chǎn)品基本特性與2023年8月商業(yè)化的低電阻金剛石基板相同，硼含量為2～4×1020/cm3?；暹呴L(zhǎng)2～13mm，可制作圓形晶圓，因此可生產(chǎn)直徑為12.5mm的晶圓。

       該公司稱將繼續(xù)致力于進(jìn)一步增大單晶體的尺寸，還將致力于增大與大型單晶體相連的鑲嵌晶片的尺寸。此外，隨著設(shè)備開(kāi)發(fā)的進(jìn)展，預(yù)計(jì)將需要具有各種外延薄膜的襯底，公司將擴(kuò)大外延襯底的范圍，并開(kāi)發(fā)可促進(jìn)量子設(shè)備開(kāi)發(fā)的襯底。