6月9-11日，由西安交通大學(xué)電子物理與器件教育部重點實驗室與單晶金剛石電子材料與器件泛太平洋產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟共同主辦的“2019單晶金剛石及其電子器件國際研討會（2019SCDE）”召開。西安交通大學(xué)電子物理與器件教育部重點實驗室主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任王宏興擔(dān)任研討會主席。來自不同國家和地區(qū)的130余位專家學(xué)者參加會議。

       會上，國內(nèi)外60余位金剛石及相關(guān)材料與器件領(lǐng)域的專家做了大會報告和相關(guān)學(xué)術(shù)報告。藍光LED發(fā)明人之一，日本國立材料研究所小出康夫教授，日本金剛石半導(dǎo)體學(xué)會會長、早稻田大學(xué)川原田洋教授，美國材料研究協(xié)會主席、國際材料研究學(xué)會聯(lián)合會主席、亞利桑那州立大學(xué)羅伯特·J·內(nèi)馬尼奇教授，北京大學(xué)沈波教授分別介紹了各自團隊的最新研究進展；德島大學(xué)敖金平教授、西北工業(yè)大學(xué)樊慧慶教授、吉林大學(xué)李紅東教授、濟南大學(xué)楊萍教授、日本國立材料研究所劉江偉研究員等分別介紹了國內(nèi)單晶金剛石研究的最新研究進展。

       西安交通大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件中心主任王宏興教授介紹了研究團隊在單晶金剛石快速生長、電子器件級單晶金剛石同質(zhì)和異質(zhì)外延生長、金剛石基日盲紫外探測和金剛石基功率電子器件方面的最新研究進展，獲得與會代表的高度評價。

       此次會議為單晶金剛石及相關(guān)材料和器件等相關(guān)領(lǐng)域的專家、學(xué)者、技術(shù)人員及企業(yè)家等提供學(xué)術(shù)交流平臺，加強國內(nèi)外同行業(yè)之間的相互了解和合作，共同促進國際單晶金剛石材料及其電子器件行業(yè)及相關(guān)行業(yè)的蓬勃發(fā)展。通過與國內(nèi)外各相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者的交流，借此了解新型超寬禁帶半導(dǎo)體——單晶金剛石及其電子器件研究領(lǐng)域的最新進展，為發(fā)展新的實驗方法、理論并凝煉關(guān)鍵科學(xué)問題提供依據(jù)，全面推動以寬禁帶半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的跨學(xué)科、跨領(lǐng)域的深入實質(zhì)性的合作，促進我國單晶金剛石半導(dǎo)體材料及其電子器件研究平臺的建設(shè)，并通過共同努力，拓展該類先進電子材料與器件的應(yīng)用與成果轉(zhuǎn)化。