由國家電網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院牽頭，中科院半導(dǎo)體所、中科院物理所、北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司等聯(lián)合承擔(dān)的北京市科委重大項(xiàng)目“1200V/20A碳化硅二極管研發(fā)”于2015年3月底通過專家驗(yàn)收。通過項(xiàng)目實(shí)施，北京地區(qū)實(shí)現(xiàn)了碳化硅從單晶材料制備、外延材料生長到二極管芯片研制及其在電力系統(tǒng)應(yīng)用驗(yàn)證的全鏈條國產(chǎn)化，并形成了年產(chǎn)能2萬片4英寸SiC晶片，30片4英寸外延片，年產(chǎn)10萬只SiC二極管及1萬只碳化硅模塊的小批量生產(chǎn)能力，國產(chǎn)碳化硅器件已經(jīng)初步通過光伏逆變器的應(yīng)用驗(yàn)證。        碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比具有擊穿電場強(qiáng)度大，熱導(dǎo)率高，帶隙寬度寬，熔點(diǎn)高等優(yōu)點(diǎn)，將其應(yīng)用于電力電子器件，可以從根本上提高功率變換裝置的效率，減少配套散熱器及濾波器耗材，同時(shí)還可以減小設(shè)備體積，提高設(shè)備可靠性，因而在高端變頻應(yīng)用領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用價(jià)值。北京市科委在“1200V/20A碳化硅二極管研發(fā)”項(xiàng)目的組織與頂層設(shè)計(jì)中，特別注重涵蓋了從碳化硅材料到器件、應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈全部主要環(huán)節(jié)，整合了北京地區(qū)碳化硅材料、外延、器件研制及應(yīng)用單位的優(yōu)勢資源，集中開展碳化硅單晶襯底、外延材料、二極管芯片與模塊、光伏逆變器應(yīng)用等技術(shù)攻關(guān)，最終順利完成了該領(lǐng)域的國產(chǎn)化研究并實(shí)現(xiàn)了小批量生產(chǎn)能力。        該項(xiàng)目累計(jì)形成了發(fā)明專利13項(xiàng)，發(fā)表科技論文8篇，其中SCI檢索4篇。項(xiàng)目的實(shí)施大幅提高了國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的整體設(shè)計(jì)能力和制造水平，對(duì)推動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料、器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展，打破國外技術(shù)壟斷，提升我國核心國際競爭力與支撐落實(shí)節(jié)能減排戰(zhàn)略具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。