11月7日，在2014國際光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)與標準發(fā)展論壇上，保利協(xié)鑫能源控股有限公司長晶事業(yè)部技術(shù)總監(jiān)游達進行了“太陽能級多晶硅片的發(fā)展前景與展望”主題演講。他認為，目前地面電站已經(jīng)以多晶為主，但大家一直比較多晶和單晶誰會是主流沒有意義。

　　以下是文字實錄：

　　游達：各位來賓，各位領(lǐng)導，大家下午好。很榮幸在這里給大家講講協(xié)鑫近一年來對多晶產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展以及未來趨勢的看法給大家做一個分享。協(xié)鑫在產(chǎn)業(yè)鏈里面多晶產(chǎn)能已經(jīng)到了將近13GW，明年可能會到15GW，在這么大產(chǎn)能的壓力之下，我們要保證自己在市場上有一定的競爭力，確保自己的市場份額這是一個非常不容易的事情。

　　最近在行業(yè)里面討論最多的，就是在未來三年里面，單晶和多晶份額到底會有什么樣的變化？從協(xié)鑫來看，我們依然看好自己的多晶。另外從發(fā)電量數(shù)據(jù)來看目前地面電站已經(jīng)以多晶為主，但是在分布式上面未來多晶和單晶誰更有優(yōu)勢的話，今天我就先做一個拋磚引玉，大家共同來研究這個話題。

　　鑄錠多晶硅現(xiàn)狀及展望，這個報告分五個部分。首先把有光伏以來最好的電池效率回顧一下。然后對全球光伏市場份額做一個簡單討論。第三是把鑄錠多晶硅技術(shù)發(fā)展趨勢做一個介紹。最后把鑄錠N型準單晶技術(shù)做一個介紹。這個行業(yè)不管電池也好，組件也好，最終還是要靠發(fā)電量如何。

　　這張圖它一直在跟著這個行業(yè)的趨勢誕生以來每年的效率最高紀錄值都有一個明顯的進步。到2014年的時候，幾乎所有的電子技術(shù)，無論是薄膜，還是單晶，還是晶硅實驗室效率基本都到了20%左右，如果更好的電池工藝，晶硅基本可以做到25-26%的水平，當然這僅限于實驗室的效率。

　　隨著技術(shù)的發(fā)展，它可能會放緩，但是在未來也許會有新的技術(shù)誕生，相信還會向上走。

　　全球光伏市場份額跟效率發(fā)展也是呈對應(yīng)的關(guān)系，在過去四年里面，從2010年開始整個多晶和單晶比例在發(fā)生微小的變化。綠色面是普通晶硅產(chǎn)品，2012年后，高位多晶的產(chǎn)品出來之后逐步替代了這個市場，我們看到在N型單晶市場上也在逐年的提升市場份額，所以我們認為從整個2014年來看，常規(guī)太陽能電池硅片的組件產(chǎn)量會占到將近89%的市場份額。薄膜組件將占接近8%。

　　我們再主要回歸到晶硅這個體系，看看多晶和單晶給出市場預測。從2010年開始預測到2017年，基本上多晶組件產(chǎn)出量依然保持70%左右，到2017年，單晶份額可能會從30%上升到35%。

　　多晶在2012年在行業(yè)里面大部分都是G5，在2013年的時候G6所占市場份額比例越來越大，從G5到G6產(chǎn)能的提升非常明顯可以從6.9%提升到10.3%。2014年多晶鑄錠爐型來說慢慢從G5到G6到G7。協(xié)鑫會把將近10的爐子改成G7，明年會把G7份額和比例繼續(xù)提高。

　　大家一直所多晶和單晶一直在比誰會是主流，我覺得這個沒有意義。那我們就來看看多晶到底未來會做什么事情。這里給出單晶和多晶關(guān)于效率分布的計算。這里以組件輸出功率的相對值來做一個對比。

　　在組件段有了面積差能，在風能面積上多晶面積多了1.8%的面積輸出，光衰單晶給到2-2.5%的變化，多晶給到1%左右，如果單晶持有扣除面積損失、封裝損失、光衰的話，最終的組件效率是18.25%左右。我們認為如果目前單晶結(jié)構(gòu)和電池工藝不朝著像20%的效率去轉(zhuǎn)，在目前組件段，它的效率輸出是不如多晶的效率。

　　N型的單晶硅片從潛力上來講是未來的方向。但是我們也發(fā)現(xiàn)N型雖然潛力很高，但是目前硅片尺寸還是以6寸為主，電池成本過高，所以在未來我們做鑄錠，希望用鑄錠工藝做成N型類單晶的硅片。

　　提到成本和效率，又回到多晶目前的發(fā)展瓶頸，很多人說單晶成本下降很快多晶未來發(fā)展的勢頭會差一點，我也把自己的思路理了一下，總結(jié)以下四點討論這個問題。

　　第一點，我們不得不承認目前所有高效的電池工藝都是基于單晶，多晶電池工藝并不是很多，研究也比較少。

　　第二點，金剛線切割帶來的表面制絨工藝的突破，這個瓶頸如果突破的話，多晶切片金剛線切割就會大規(guī)模生產(chǎn)，推向市場。

　　第三點是類單晶的技術(shù)突破，中間一類片的效率分布廣，另外外觀接受度有問題，二、三類片的效率需要進一步提升。

　　第四點，硅片下降的成本空間也受到了客觀條件的約束，前面講到金剛線在多晶切割方面沒有大規(guī)模的導入，所以也導致用于這種切割工藝的產(chǎn)量產(chǎn)能沒有辦法大規(guī)模生產(chǎn)。再有就是裝料量，把裝料量從1.2噸提高到1.6噸，它不是技術(shù)問題，而是安全方面的問題。

　　大家也知道作為單晶而言，傳統(tǒng)方法就是直拉，德拉單晶棒及它的優(yōu)點很明顯，絕緣密度很低，效率高，缺點是投料少，操作復雜，成本高。如果用鑄錠方法從某種意義上來看，投料量確實做得很大，G6確實沒有問題，操作簡單，成本低，但是技術(shù)難度比較大。

　　這里我給出了一個最新的研究結(jié)果探討這個技術(shù)，這是今年在太陽能材料和電池雜志上發(fā)表的一篇最新報道，采用N型類單晶硅片做了HIT電池工藝。如果在鑄錠區(qū)域中間部分的硅片，它做得HIT即使在這樣一個鑄錠環(huán)境下做的硅片，中間轉(zhuǎn)換區(qū)域可以做到21.5%，但對我們來講依然有很大的挑戰(zhàn)。第一，籽晶，使用特定晶向的單晶，成本高于正常硅料。第三是效率的進一步提升，主要解決效率分布問題。第三是單晶區(qū)域在整個晶體中的比例提升，目標實現(xiàn)80%左右單晶硅片產(chǎn)出比例。

　　最后講一下鑄錠多晶發(fā)電量的研究。首先是溫度系數(shù)的影響，在戶外它不是標準的環(huán)境溫度，也不是標準的輻照度。這是我在網(wǎng)上找的一篇德國學者做的一個多晶組件測試，得到的溫度是-0.42，這個溫度跟我們常規(guī)理解還是比較接近的。

　　接下來看看溫度系數(shù)的對比，這個我也是找了德國文章數(shù)據(jù)，坦白說德國在過去幾年時間里，裝機應(yīng)用依然走在世界前列，同時積累了很多系統(tǒng)運行的數(shù)據(jù)。從這個數(shù)據(jù)可以看到HIT結(jié)構(gòu)溫度系數(shù)在所有晶硅里面是最好的，從薄膜來看，薄膜實際測試和模擬中溫度測試還是比較低的。傳統(tǒng)的無論是單晶硅，多晶硅，溫度在戶外基本上都是負0.4-0.5波動。如果未來我們要研究這么一個測試的條件，如何把組件溫度系數(shù)測準對我們來說是一個挑戰(zhàn)。

　　現(xiàn)在大家說在同樣瓦數(shù)組件上面，同樣的輻照下，單晶比多晶的溫度低5-6度，為什么會發(fā)生這樣的變化，值得我們?nèi)ヌ接憽?br />
　　最終多晶組言系統(tǒng)未來研究的重點有以下幾個方面。

　　第一，各種高效硅片工藝以及高效電池結(jié)構(gòu)導致的組件效率提升對最終系統(tǒng)發(fā)電量的影響，我想我們未來要關(guān)注這個方向的研究。

　　第二，多晶組件的光衰變化的趨勢與解決方案。

　　第三，鑄造單晶組件系統(tǒng)發(fā)電量的研究。

　　第四，多晶組件在弱光條件下的發(fā)電量的研究。剩下幾個我就不多講了，今天報道就分享到這里，謝謝大家。