俄羅斯托姆斯克工業(yè)大學的研究人員用碳離子的短脈沖波作用于硅，在硅表面合成納米金剛石粒子和碳粒子，在世界上首次研究成功在其他物質(zhì)表層內(nèi)部合成納米金剛石粒子的方法。這種方法的研究成功能夠改變金屬制品和半導體的某些性質(zhì)，能夠讓某些材料變得更加堅固，提高其耐磨性以及同金剛石鍍層的粘結(jié)強度。
    
　　這種方法在半導體照明產(chǎn)業(yè)甚至整個半導體工業(yè)具有很好的應(yīng)用前景，但需要進一步的試驗數(shù)據(jù)提供支撐。該大學的學者認為，由于金剛石納米粒子是在高溫高壓條件下產(chǎn)生，而碳離子總是在發(fā)生伴生作用。因此，這種合成方法不僅可以通過硅實現(xiàn)，也可以在其他物質(zhì)內(nèi)部實現(xiàn)。早在三年前，該大學就開始從事碳離子脈沖試驗，并于2012年獲得碳植入專利，被列入俄羅斯知識產(chǎn)權(quán)局公布的“俄羅斯100項優(yōu)秀發(fā)明專利”之中。