手機資訊
官方微信摘要 名稱利用熱燈絲直流等離子體進(jìn)行金剛石成核和沉積的設(shè)備及方法公開號1261927公開日2000.08.02主分類號C2
| 名稱 | 利用熱燈絲直流等離子體進(jìn)行金剛石成核和沉積的設(shè)備及方法 | ||
| 公開號 | 1261927 | 公開日 | 2000.08.02 |
| 主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26;H01J37/32 |
| 申請?zhí)?/strong> | 98806931.8 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1998.07.07 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1997.7.7[33]US[31]08/888，830 | |
| 申請人 | CVD金剛石公司 | 地址 | 加拿大安大略省 |
| 發(fā)明人 | 孫碧武; 劉煥明 | 國際申請 | PCT.CA98/00645 1998.7.7 |
| 國際公布 | WO99.2753 英 1999.1.21 | 進(jìn)入國家日期 | 2000.01.05 |
| 專利代理機構(gòu) | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 甘玲 |
| 摘要 | 利用熱燈絲DC等離子體沉積使金剛石成核和生長的方法和設(shè)備。該設(shè)備采用電阻式加熱的燈絲組離解反應(yīng)物氣體中的氫。對于二面的金剛石生長，使用基底－熱燈絲－柵極－熱燈絲－基底的結(jié)構(gòu)，或基底－熱燈絲－熱燈絲－基底的結(jié)構(gòu)。對于后一種結(jié)構(gòu)，用兩個獨立的燈絲組作為熱燈絲和柵極，并保持燈絲組之間的AC或DC等離子體。對于這種和其他電極結(jié)構(gòu)，對柵電極施加相對于熱燈絲的正偏壓，以保持等離體。等離子體的電位梯度跨越柵極，熱燈絲將從等子體中抽取的離子超向燈絲。為進(jìn)一步提高沉積速度，對燈絲組施加相對于基底夾持器的負(fù)偏壓，使得在基底和燈絲組之間的DC等離子體也得以保持。在成核期間，對與基底夾持器相鄰的燈絲施加相對于基底的正偏壓，使得離子被加速朝向基底，接著，又提高了生長前體流向基底，導(dǎo)致在基底上產(chǎn)生高的金剛石成核密度，而不需要涂擦或接種金剛石的預(yù)處理。這種成核方法簡化了生長過程，并提供了一種在單晶基底，如Si（100）上，既方便又經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行金剛石晶核異相外延生長的方法。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號