名稱 | 在顆粒上包覆金剛石樣碳的方法與設(shè)備 | ||
公開號(hào) | 1279729 | 公開日 | 2001.01.10 |
主分類號(hào) | C23C16/44 | 分類號(hào) | C23C16/44 |
申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 98811433.X | ||
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1998.10.07 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | 1997.11.26 US 08/979,072 | |
申請(qǐng)人 | 美國(guó)3M公司 | 地址 | 美國(guó)明尼蘇達(dá)州 |
發(fā)明人 | M·M·戴維 | 國(guó)際申請(qǐng) | PCT.US98/21111 1998.10.7 |
國(guó)際公布 | WO99.27157 英 1999.6.3 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | 2000.05.22 |
專利代理機(jī)構(gòu) | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 余穎 |
摘要 | 本發(fā)明涉及一種金剛石樣碳包覆顆粒的制備方法,所述金剛石樣覆層可以包含其他組分。所述方法包括:在真空射頻電源電容耦合反應(yīng)器系統(tǒng)內(nèi)令眾多顆粒與碳等離子體接觸,在所述系統(tǒng)內(nèi),在電極周圍形成離子鞘,攪拌顆粒的方式使它們的表面與等離子體內(nèi)的反應(yīng)性物質(zhì)接觸,同時(shí)顆?;旧咸幱陔x子鞘內(nèi)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:(i)以高沉積率在顆粒上有效沉積DLC,(ii)沉積致密的 DLC覆層;(iii)能夠在DLC沉積前用含氧和含氬等離子體通過離子轟擊原位進(jìn)行顆粒的表面清潔;和(iv)能夠在包覆過程中通過調(diào)整覆層的組成和離子轟擊的密度改變覆層的整體和表面性能?! ? |