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官方微信摘要 名稱在液體表面生長金剛石晶體的方法公開號(hào)1215766公開日1999.05.05主分類號(hào)C30B29/04
| 名稱 | 在液體表面生長金剛石晶體的方法 | ||
| 公開號(hào) | 1215766 | 公開日 | 1999.05.05 |
| 主分類號(hào) | C30B29/04 | 分類號(hào) | C30B29/04 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 97119937.X | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1997.10.29 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請(qǐng)人 | 方寶賢 | 地址 | 650091云南省昆明市121大街天君殿巷9幢501號(hào) |
| 發(fā)明人 | 方寶賢 | 國際申請(qǐng) | |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 云南省專利事務(wù)所 | 代理人 | 張怡 |
| 摘要 | 本發(fā)明涉及到晶體生長，尤其是金剛石晶體的生長方法。本發(fā)明所述方法是用碳源在可防止氧化的氣體里，在金屬液態(tài)襯底表面上生長金剛石晶體。在本申請(qǐng)中，作為襯底的金屬是與碳沒有反應(yīng)、不形成合金的，如Ge、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ等，也可以是它們的合金。本申請(qǐng)中，形成剛晶的溫度范圍為４００—１５００℃。用液態(tài)襯底的特點(diǎn)是改善目前生長金剛石晶體的結(jié)果而制造大單晶金剛石，特別做電子材料及光學(xué)材料。 | ||
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