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一種石墨為碳源制備金剛石/碳化硅復(fù)合材料的方法

關(guān)鍵詞 石墨 , 碳源 , 金剛石 , 碳化硅 , 復(fù)合材料|2017-05-31 08:50:37|行業(yè)專(zhuān)利|來(lái)源 中國(guó)超硬材料網(wǎng)
摘要 申請(qǐng)?zhí)枺?01710038816.7申請(qǐng)人:北京科技大學(xué)發(fā)明人:何新波鄭偉吳茂潘彥鵬曲選輝摘要:本發(fā)明涉及一種石墨為碳源制備金剛石/碳化硅復(fù)合材料的方法,屬于金剛石/碳化硅復(fù)合材料...
  申請(qǐng)?zhí)枺?01710038816.7
  申請(qǐng)人:北京科技大學(xué)
  發(fā)明人:何新波 鄭偉 吳茂 潘彥鵬 曲選輝

  摘要: 本發(fā)明涉及一種石墨碳源制備金剛石/碳化硅復(fù)合材料的方法,屬于金剛石/碳化硅復(fù)合材料領(lǐng)域。本發(fā)明以硅粉為基體,采用金剛石作為導(dǎo)熱源,以石墨為主要的反應(yīng)碳源,在高溫條件下通過(guò)碳和硅的相互擴(kuò)散進(jìn)行碳硅反應(yīng),生成碳化硅,繼而得到金剛石/碳化硅的復(fù)合材料。首先,將金剛石,石墨和硅粉混合,經(jīng)過(guò)混料機(jī)混合,然后烘干、破碎、過(guò)篩,制備初始的混合粉料。得到的混合粉料,再通過(guò)熱壓的方式制備具有一定形狀和尺寸的金剛石/碳化硅的復(fù)合材料。由這種方法得到的金剛石/碳化硅的復(fù)合材料,具有較高的熱導(dǎo)率和低的熱膨脹系數(shù),可用作電子封裝中集成電路的基板材料。

  主權(quán)利要求:1.一種石墨為碳源制備金剛石/碳化硅復(fù)合材料的方法,其特征在于以硅粉為基體,采用金剛石作為導(dǎo)熱源,以石墨為主要的反應(yīng)碳源,在高溫條件下通過(guò)碳和硅的相互擴(kuò)散進(jìn)行碳硅反應(yīng),生成碳化硅,繼而得到金剛石/碳化硅的復(fù)合材料;各組分的重量百分?jǐn)?shù)為金剛石10%~80%,石墨10%~50%,硅粉10%~50%。
  2.如權(quán)利要求1所述一種石墨為碳源制備金剛石/碳化硅復(fù)合材料的方法,其特征在于具體制備過(guò)程為;將金剛石,石墨,硅粉按比例混合并用有機(jī)溶劑潤(rùn)濕成糊狀,然后將混合物放入球磨罐中,加入磨球,放入混料機(jī)上進(jìn)行混合;混合完成后,用有機(jī)溶劑清洗球磨罐,并將混合物烘干、破碎、過(guò)篩,得到粒徑均勻的混合粉料;取適量的混合粉料放入石墨模具中,再將石墨模具放入熱壓機(jī);接著將熱壓機(jī)密封,抽真空或通入惰性氣體,最后設(shè)定壓力和熱壓溫度,升溫,進(jìn)行熱壓;熱壓結(jié)束后,取出試樣,并清洗干燥,得到最終的金剛石/碳化硅復(fù)合材料。
  3.如權(quán)利要求1或2所述一種石墨為碳源制備金剛石/碳化硅復(fù)合材料的方法,其特征在于所采用的金剛石為單晶,聚晶或者是金剛石破碎粉料,粒徑10~500μm;金剛石在使用前需要用有機(jī)溶劑進(jìn)行清洗,以除去表面的油性雜質(zhì)。
  4.如權(quán)利要求3所述一種石墨為碳源制備金剛石/碳化硅復(fù)合材料的方法,其特征在于金剛石在使用前需要對(duì)金剛石粉進(jìn)行表面腐蝕或者表面改性,增加金剛石的表面粗糙度。
  5.如權(quán)利要求1或2所述一種石墨為碳源制備金剛石/碳化硅復(fù)合材料的方法,其特征在于作為基體的硅粉選用純度在99.99%以上的金屬硅粉,高純硅,或者是相應(yīng)的硅合金。
  6.如權(quán)利要求1或2所述一種石墨為碳源制備金剛石/碳化硅復(fù)合材料的方法,其特征在于石墨采用鱗片石墨或土狀石墨。
  7.如權(quán)利要求2所述一種石墨為碳源制備金剛石/碳化硅復(fù)合材料的方法,其特征在于所述有機(jī)溶劑為無(wú)水乙醇或丙酮。
  8.如權(quán)利要求2所述一種石墨為碳源制備金剛石/碳化硅復(fù)合材料的方法,其特征在于混料機(jī)混料時(shí)轉(zhuǎn)速800r/min~1500r/min,混料時(shí)間4~24h,球料比10~20:1;混合物烘干溫度50~120℃,篩網(wǎng)60~3000目。
  9.如權(quán)利要求2所述一種石墨為碳源制備金剛石/碳化硅復(fù)合材料的方法,其特征在于熱壓時(shí)采用氬氣或者真空條件,升溫速率5~15℃/min,保壓溫度1420~2000℃,壓力35~80MPa,保壓時(shí)間30~120min;熱壓結(jié)束后,試樣隨爐冷卻至室溫。
 

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