申請?zhí)枺?01620294185.6
　　申請人：河南理工大學 焦作華晶鉆石有限公司
　　發(fā)明人：原亨馨 臧傳義 陳孝洲 劉博

　　摘要：本新型涉及一種異形寶石級大單晶金剛石顆粒成長腔體結構，包括白云石、葉臘石及加熱體，葉臘石呈立方體結構并包覆在白云石外，白云石內設組裝腔，組裝腔為圓柱管狀結構，包括上白云石堵頭、下白云石堵頭、金剛石晶體生長核心單元及擋塊，擋塊上設過流孔，且過流孔與組裝腔同軸分布，加熱體至少兩個加熱塊及一個加熱環(huán)，其中所述的加熱塊分別嵌于上白云石堵頭、下白云石堵頭內，加熱環(huán)嵌于白云石內并包覆在組裝腔外側。本新型一方面可提高金剛石晶種的擺放數(shù)量，另一方面可有效的改善原料填充的速度及擴散的均勻性，有助于提高各晶種間的原料獲取的均衡性，從而達到在提高人工合成金剛石生產(chǎn)效率的同時，另有效改善同批金剛石間的品質差異。 　　主權利要求：1.一種異形寶石級大單晶金剛石顆粒成長腔體結構，其特征在于：所述異形寶石級大單晶金剛石顆粒成長腔體結構包括白云石、葉臘石及加熱體，所述的葉臘石呈立方體結構并包覆在白云石外，所述的白云石與葉臘石同軸分布，所述的白云石內設組裝腔，所述的組裝腔為圓柱管狀結構，包括上白云石堵頭、下白云石堵頭、金剛石晶體生長核心單元及擋塊，所述的上白云石堵頭、下白云石堵頭、金剛石晶體生長核心單元及擋塊均與組裝腔同軸分布，所述的金剛石晶體生長核心單元與白云石同軸分布，所述的金剛石晶體生長核心單元高度為組裝腔高度的1/4—2/3，寬度為組裝腔直徑的1—5倍，所述的上白云石堵頭和下白云石堵頭分別與組裝腔兩端連接，所述的金剛石晶體生長核心單元中心位置不高于組裝腔高度的1/7，且其側壁另設定位滑槽，并通過定位滑槽滑動安裝在金剛石晶體生長核心單元內，所述的擋塊上設過流孔，且所述的過流孔與組裝腔同軸分布，所述的加熱體至少包含兩個加熱塊及一個加熱環(huán)，其中所述的加熱塊分別嵌于上白云石堵頭、下白云石堵頭內，所述的加熱環(huán)嵌于白云石內并包覆在組裝腔外側，所述的加熱環(huán)與組裝腔同軸分布，且加熱環(huán)壁厚為組裝腔直徑的3-5%。
　　2. 根據(jù)權利要求1所述的一種異形寶石級大單晶金剛石顆粒成長腔體結構，其特征在于，所述的金剛石晶體生長核心單元包括合金溶劑及耐熱絕緣防護層，且耐熱絕緣防護層包覆在合金溶劑外側。
　　3.根據(jù)權利要求1所述的一種異形寶石級大單晶金剛石顆粒成長腔體結構，其特征在于，所述的擋塊為一體式結構或由至少兩塊板體相抵構成。
　　4.根據(jù)權利要求1所述的一種異形寶石級大單晶金剛石顆粒成長腔體結構，其特征在于，所述的過流孔上端面和下端面均設喇叭口狀導流結構。
　　5.根據(jù)權利要求1所述的一種異形寶石級大單晶金剛石顆粒成長腔體結構，其特征在于，所述的過流孔橫截面為矩形或雙曲線結構。
　　6.根據(jù)權利要求1所述的一種異形寶石級大單晶金剛石顆粒成長腔體結構，其特征在于，所述金剛石晶體生長核心單元只設一粒晶種。