申請(qǐng)人:中國有色桂林礦產(chǎn)地質(zhì)研究院有限公司
發(fā)明人:陳家榮 林峰 陳超
摘要:本發(fā)明公開了一種金剛石內(nèi)圓切割刀片及其制備方法。所述的金剛石內(nèi)圓切割刀片,包括圓形基體,該圓形基體包括第一主表面、第二主表面、第三主表面、第四主表面,以及位于外圓周邊緣的第一側(cè)表面和位于內(nèi)圓周邊緣的第二側(cè)表面;所述第三主表面和第四主表面分別為從所述第二側(cè)表面的上、下兩端分別向外朝第一側(cè)表面方向延伸相等距離形成;所述第三主表面與第一主表面通過第一環(huán)形側(cè)面連接,所述第四主表面與第二主表面通過第二環(huán)形側(cè)面連接,所述第一環(huán)形側(cè)面在圓形基體軸向上的高度與第二環(huán)形側(cè)面在圓形基體軸向上的高度相等;在第三主表面、第四主表面以及第二側(cè)表面上均設(shè)置有含有金剛石顆粒的金剛石鍍層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石內(nèi)圓切割刀片,其特征在于:所述第三主表面(3)上的金剛石鍍層(10)的頂端面高于第一主表面(1),第四主表面(4)上的金剛石鍍層(10)的底端面超出第二主表面(2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石內(nèi)圓切割刀片,其特征在于:所述第三主表面(3)上的金剛石鍍層(10)的頂端面高出第一主表面(1)0.02-0.05mm,第四主表面(4)上的金剛石鍍層(10)的底端面超出第二主表面(2)0.02-0.03mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的金剛石內(nèi)圓切割刀片,其特征在于:當(dāng)圓形基體的厚度為0.10-0.15mm時(shí),第三主表面(3)與第四主表面(4)的間距為0.03-0.06mm。
5.權(quán)利要求1所述金剛石內(nèi)圓切割刀片的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:1)選定圓形基體,該圓形基體具有第一主表面(1)、與第一主表面(1)相對(duì)的第二主表面(2),以及位于外圓周邊緣的第一側(cè)表面(5)和位于內(nèi)圓周邊緣的第二側(cè)表面(6);2)從所述第二側(cè)表面(6)上、下兩端分別向外朝第一側(cè)表面(5)方向延伸一定距離分別形成第三主表面(3)以及與第三主表面(3)相對(duì)的第四主表面(4),其中,第三主表面(3)與第一主表面(1)通過第一環(huán)形側(cè)面(7)連接,所述第四主表面(4)與第二主表面(2)通過第二環(huán)形側(cè)面(8)連接,同時(shí)控制第一環(huán)形側(cè)面(7)在圓形基體軸向上的高度與第二環(huán)形側(cè)面(8)在圓形基體軸向上的高度相等;3)將上述步驟2)所得基體以電化學(xué)涂覆方式將金剛石顆粒(9)固結(jié)于第三主表面(3)、第四主表面(4)以及第二側(cè)表面(6)上以形成金剛石鍍層(10)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于:步驟3)進(jìn)一步包括:3.1)將步驟2)所得基體進(jìn)行封裝,然后進(jìn)行清洗處理,之后再置于第一電化學(xué)涂覆劑中進(jìn)行第一次涂覆,得到第一次涂覆處理后的基體;其中,第一電化學(xué)涂覆劑的配方如下:六水氯化鎳250-280g/L、七水硫酸鎳230-260g/L、濃鹽酸150-175g/L;3.2)將第一次涂覆處理后的基體置于第二電化學(xué)涂覆劑中,向其中加入金剛石顆粒(9)使金剛石顆粒(9)掩埋刀口,然后進(jìn)行第二次涂覆,得到第二次涂覆處理后的基體;其中,第二電化學(xué)涂覆劑的配方如下:氨基磺酸鎳320-390g/L、六水氯化鎳20-30g/L、硼酸25-30g/L、十二烷基硫酸鈉0.02-0.04g/L;3.3)去除所得第二次涂覆處理后的基體的第一主表面(1)和第二主表面(2)上的金剛石顆粒(9),之后再置于第二電化學(xué)涂覆劑中進(jìn)行第三次涂覆,得到在第三主表面(3)、第四主表面(4)以及第二側(cè)表面(6)上均固結(jié)有含有金剛石顆粒(9)的金剛石鍍層(10)的金剛石內(nèi)圓切割刀片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于:步驟3.1)中,第一次涂覆時(shí)的工藝為:電流密度為8-12A/dm2,溫度為20-35℃,時(shí)間為2-5min。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于:步驟3.2)中,第二次涂覆時(shí)的工藝為:電流密度為0.1-0.5A/dm2,溫度為35-50℃,時(shí)間為2-5min。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于:步驟3.3)中,第三次涂覆時(shí)的工藝為:電流密度為0.5-1.0A/dm2,溫度為35-50℃,時(shí)間為10-20min。