申請(qǐng)?zhí)枺?01620224291.7
　　申請(qǐng)人：中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
　　發(fā)明人：唐強(qiáng) 馬智勇

　　摘要：本實(shí)用新型提供一種研磨墊調(diào)整器，所述研磨墊調(diào)整器至少包括：調(diào)整盤(pán)；所述調(diào)整盤(pán)表面設(shè)有金剛石顆粒及軟毛刷；所述軟毛刷自所述調(diào)整盤(pán)中心的位置向外分布，在所述調(diào)整盤(pán)表面形成軟毛刷分布區(qū)域；所述金剛石顆粒位于所述軟毛刷分布區(qū)域的外圍。本實(shí)用新型通過(guò)在軟毛刷分布區(qū)域外圍設(shè)置若干個(gè)金剛石顆粒分布區(qū)域，可以在調(diào)整的過(guò)程中提高研磨墊邊緣與中心平整度的均勻性，進(jìn)而提高拋光的速率和效果。 　　主權(quán)利要求：1.一種研磨墊調(diào)整器，其特征在于，所述研磨墊調(diào)整器至少包括：調(diào)整盤(pán)；所述調(diào)整盤(pán)表面設(shè)有金剛石顆粒及軟毛刷；所述軟毛刷自所述調(diào)整盤(pán)中心的位置向外分布，在所述調(diào)整盤(pán)表面形成軟毛刷分布區(qū)域；所述金剛石顆粒位于所述軟毛刷分布區(qū)域的外圍。
　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊調(diào)整器，其特征在于：所述調(diào)整盤(pán)表面還設(shè)有粘附層，所述金剛石顆粒通過(guò)所述粘附層粘附于所述調(diào)整盤(pán)表面。
　　3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊調(diào)整器，其特征在于：所述調(diào)整盤(pán)為金剛石圓盤(pán)。
　　4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的研磨墊調(diào)整器，其特征在于：所述調(diào)整盤(pán)的直徑為12cm～13cm。
　　5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊調(diào)整器，其特征在于：所述軟毛刷的數(shù)量為120個(gè)～130個(gè)。
　　6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊調(diào)整器，其特征在于：相鄰所述軟毛刷的間距為2.5mm～3.5mm。
　　7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊調(diào)整器，其特征在于：所述金剛石顆粒在所述軟毛刷分布區(qū)域的外圍形成若干個(gè)金剛石顆粒分布區(qū)域，所述金剛石顆粒分布區(qū)域沿所述調(diào)整盤(pán)的周向 間隔分布。
　　8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的研磨墊調(diào)整器，其特征在于：所述金剛石顆粒分布區(qū)域的數(shù)量為30個(gè)～35個(gè)。
　　9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的研磨墊調(diào)整器，其特征在于：每個(gè)所述金剛石顆粒分布區(qū)域內(nèi)，相鄰所述金剛石顆粒的間距為150μm～180μm。
　　10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的研磨墊調(diào)整器，其特征在于：相鄰所述金剛石顆粒分布區(qū)域的間距為2mm～3mm。
　　11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊調(diào)整器，其特征在于：所述金剛石顆粒在所述金剛石顆粒分布區(qū)域內(nèi)均勻分布，所述軟毛刷在所述軟毛刷分布區(qū)域內(nèi)均勻分布。