申請(qǐng)?zhí)枺?01610217100.9
　　申請(qǐng)人：山東大學(xué)
　　發(fā)明人：陳秀芳 謝雪健 徐現(xiàn)剛 胡小波

　　摘要：一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時(shí)切割6英寸及以上尺寸SiC單晶的方法，包括：采用浸有金剛石砂漿的金剛石線對(duì)所述SiC單晶進(jìn)行切割。本發(fā)明所述方法中，金剛石線上的金剛石顆粒被電鍍?cè)谇懈罹€上，不會(huì)隨金剛石線的高速運(yùn)動(dòng)被甩出，實(shí)現(xiàn)了與SiC晶體的始終接觸，保證了SiC切割片的面形質(zhì)量；同時(shí)，金剛石砂漿中的金剛石磨粒被夾嵌在所述金剛石線表面固結(jié)金剛石顆粒之間的空隙處，并隨金剛石線被高速帶入所述SiC晶體中，SiC晶體受到金剛石線、金剛石砂漿兩方面的切削，從而提高了切割效率。 　　主權(quán)利要求：1.一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時(shí)切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，該方法包括：采用浸有金剛石砂漿的金剛石線對(duì)所述SiC單晶進(jìn)行切割。
　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時(shí)切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述方法包括具體步驟如下： (1)金剛石砂漿配制：將金剛石粉、切割液混合成金剛石砂漿；其中，所述金剛石粉為金剛石磨粒；(2)將金剛石線繞制在多線切割機(jī)上，形成金剛石線網(wǎng)；(3)SiC單晶放置：將待切割SiC單晶放置在工作臺(tái)上并固定，移動(dòng)調(diào)整工作臺(tái)，使所述SiC單晶頂部與所述金剛石線網(wǎng)接觸；(4)晶體切割：?jiǎn)?dòng)多線切割機(jī)，金剛石砂漿噴向金剛石線，使浸有金剛石砂漿的金剛石線對(duì)所述SiC單晶切割成目標(biāo)尺寸的晶片。
　　3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時(shí)切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述金剛石線的線徑為150μm～400μm，金剛石線表面的金剛石顆粒度為10～50μm，排布密度為5～10個(gè)/mm。
　　4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時(shí)切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述多線切割機(jī)的進(jìn)刀速度為0.010～0.100mm/min。
　　5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時(shí)切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述多線切割機(jī)的進(jìn)刀速度為0.022～0.040mm/min。
　　6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時(shí)切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述金剛石砂漿中金剛石磨粒的直徑范圍為1～20μm。
　　7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時(shí)切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述金剛石線的供線速度為20～70m/min。
　　8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時(shí)切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述金剛石線的供線速度為40～50m/min。
　　9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時(shí)切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述步驟(4)中，所述金剛石線在切割過(guò)程的張力大小設(shè)置為30～60N。
　　10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時(shí)切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，金剛石砂漿噴向金剛石線的流量為75L/min～150L/min。