申請?zhí)枺?01510267092.4
　　申請人：埃維克技術(shù)有限公司
　　發(fā)明人：崔容瑄 李瑜基 韓致福

　　摘要：本發(fā)明涉及利用化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝的商用金剛石電極及其制造方法，在金剛石電極的制造方法中，利用熱燈絲化學(xué)氣相沉積(HFCVD)工藝在碳質(zhì)材料或?qū)щ娦曰迳闲纬蓪?dǎo)電性金剛石薄膜，在實(shí)施用于形成金剛石薄膜的工藝條件之前，流入碳源供給氣體以在鈮基板的表面形成碳化鈮(NbC)，在形成導(dǎo)電性金剛石薄膜時(shí)，將薄膜分2次以上進(jìn)行沉積，由此，在形成導(dǎo)電性金剛石薄膜時(shí)，填埋隨之而來的針孔，最大限度抑制在電解氛圍下電解液與基板的接觸，使基板的腐蝕緩慢，從而提供具有長時(shí)間壽命的金剛石電極。 　　主權(quán)利要求：1.一種制造金剛石電極的方法，其特征在于，包括：向腔室內(nèi)注入氫氣和碳源氣體而在基板表面形成碳化涂層的步驟；通過調(diào)節(jié)所述腔室內(nèi)的氫氣、碳源氣體和硼源氣體的投入比率來調(diào)整在所述基板上沉積的金剛石晶體的大小，并且至少分2次以上在所述基板上形成導(dǎo)電性金剛石薄膜的步驟。
　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石電極的制造方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述形成碳化涂層的步驟之前，通過打磨工序?qū)λ龌宓谋砻尜x予粗 糙度的步驟。
　　3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石電極的制造方法，其特征在于，在所述形成碳化涂層的步驟中， 在實(shí)施利用熱燈絲化學(xué)氣相沉積法(HFCVD)形成所述導(dǎo)電性金剛石薄膜 的步驟之前的步驟中，在將所述腔室內(nèi)基板表面的溫度加熱至適當(dāng)溫度的狀態(tài)下，投入氫氣和碳源氣體來在鈮基板上形成碳化鈮涂層。
　　4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石電極的制造方法，其特征在于，所述形成導(dǎo)電性金剛石薄膜的步驟包括：將作為所述碳源氣體的甲烷(CH4)、作為所述硼源氣體的TMB(三甲基硼) 氣體、作為載氣的氫氣(H2)的投入比率即甲烷:TMB氣體:氫氣調(diào)節(jié)為 0.5～2.5:3～5:100的步驟。
　　5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石電極的制造方法，其特征在于，所述形成導(dǎo)電性金剛石薄膜的步驟包括：以所述導(dǎo)電性金剛石層的厚度每增加1～2μm時(shí)中斷成膜后重新成膜的方式，至少分2次以上進(jìn)行成膜。
　　6.一種金剛石電極，其根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的方法制造。