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　　申請(qǐng)人：蘇州旦能光伏科技有限公司
　　發(fā)明人：蘇曉東 葉曉亞

　　摘要：本發(fā)明公開了一種金剛石線切割硅片的表面處理方法及制絨方法，金剛石線切割硅片表層覆蓋有切割引起的非晶硅層，且金剛石線切割硅片表面密布平行的線痕，表面處理方法包括：將金剛石線切割硅片進(jìn)行清洗預(yù)處理；將清洗預(yù)處理后的金剛石線切割硅片放入含有金屬離子、氧化劑和刻蝕劑的混合溶液中，先后進(jìn)行金屬離子附著、氧化生成SiO2、催化化學(xué)刻蝕反應(yīng)；分別用第一清洗液、第二清洗液、去離子水清洗刻蝕后硅片，分別去除硅片表面殘留的金屬粒子、氧化層、化學(xué)殘留；清洗后即可得到去除線痕和含有微缺陷非晶層的硅片。本發(fā)明能夠使用常規(guī)工藝對(duì)金剛石線切割硅片進(jìn)行有效制絨，并且通過其制備的晶體硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率得到了提高。 　　主權(quán)利要求：1.一種金剛石線切割硅片的表面處理方法，所述金剛石線切割硅片表層覆蓋有切割引起的非晶硅層，且金剛石線切割硅片表面密布平行的線痕，其特征在于，所述方法包括以下步驟：S1、將金剛石線切割硅片進(jìn)行清洗預(yù)處理；S2、將清洗預(yù)處理后的金剛石線切割硅片放入含有金屬離子、氧化劑和刻蝕劑的混合溶液中，進(jìn)行金屬離子附著、氧化生成SiO2、催化化學(xué)刻蝕反應(yīng)；所述金屬離子選自金離子、銀離子、銅離子和鐵離子中的一種或多種；所述氧化劑選自H2O2、HNO3、H2CrO4溶液中的一種或多種；所述刻蝕劑為HF；S3、分別用第一清洗液、第二清洗液、去離子水清洗刻蝕后硅片，分別去除硅片表面殘留的金屬粒子、氧化層、化學(xué)殘留；所述第一清洗液為硝酸溶液；所述第二清洗液為氫氟酸溶液；清洗后即可得到去除線痕和含有微缺陷非晶層的硅片。
　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金剛石線切割硅片為 金剛石線切割單晶硅片或金剛石線切割多晶硅片。
　　3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金剛石線切割硅片表 層覆蓋的非晶硅層厚度為1～50nm，表面的線痕高度為1～10μm。
　　4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1包括： S11、將金剛石線切割硅片放入HF溶液中清洗，去除表面的SiO2氧化層； S12、將去除表面SiO2氧化層后的金剛石線切割硅片使用去離子水進(jìn)行超 聲清洗。
　　5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟S11具體為： 將金剛石線切割硅片放入質(zhì)量百分比1～10％HF溶液中清洗，去除表面的 SiO2氧化層，清洗時(shí)間為60～1200秒，清洗溫度為5～30℃。
　　6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2包括： 金屬離子附著，金剛石線切割硅片將金屬離子還原成金屬粒子并選擇性 附著在非晶硅層和線痕表面； 氧化生成SiO2，硅片表面被氧化生成SiO2層； 催化化學(xué)刻蝕反應(yīng)，金屬粒子作為化學(xué)刻蝕的催化劑，生成的SiO2被刻 蝕劑溶解生成水溶性物質(zhì)，同時(shí)氧化劑繼續(xù)氧化硅片生成SiO2，從而使得這 一溶解-氧化過程保持下去，對(duì)硅片進(jìn)行化學(xué)刻蝕。
　　7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中金屬離子 的濃度為0.0001～1mol/L，氧化劑的濃度為0.001～5mol/L，刻蝕劑的濃度為 1～20mol/L，步驟S2的反應(yīng)時(shí)間為10～3600秒。
　　8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S3中： 第一清洗液為質(zhì)量百分比為10～70％的硝酸溶液，清洗時(shí)間為60～1200秒， 清洗溫度為5～90℃； 第二清洗液為質(zhì)量百分比為1～10％的氫氟酸溶液，清洗時(shí)間為60～1200 秒，清洗溫度為5～50℃。
　　9.一種金剛石線切割硅片的制絨方法，其特征在于，所述制絨方法包括： 采用權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的方法對(duì)金剛石線切割硅片進(jìn)行表面處 理； 將表面處理后的硅片放入制絨溶液中進(jìn)行制絨。