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　　申請(qǐng)人：史密斯國(guó)際有限公司
　　發(fā)明人：J·D·貝爾納普 M·K·凱沙維安

　　摘要：公開(kāi)了將熱穩(wěn)定多晶金剛石(TSP)材料層附連到基體上的方法與系統(tǒng)。該方法包括：將銅焊材料放置在TSP材料層與基體之間，將TSP材料層和基體中的至少一個(gè)擠壓在TSP材料層和基體中的另一個(gè)上，將銅焊材料加熱到至少800℃的溫度，以及冷卻銅焊材料以形成將TSP材料層附連到基體上的結(jié)合。 　　主權(quán)利要求：1.一種將熱穩(wěn)定多晶金剛石(TSP)材料層附連到基體上的方法，包括：將銅焊材料放置在所述TSP材料層與所述基體之間；將所述TSP材料層和所述基體中的至少一個(gè)擠壓在所述TSP材料層和所述基體中的另一個(gè)上；將所述銅焊材料加熱到至少800℃的溫度；以及冷卻所述銅焊材料，以形成將TSP材料層附連到所述基體上的結(jié)合。
　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，放置包括將銅焊材料放置在所 述TSP材料層與所述基體之間而形成組件，且加熱包括在爐腔內(nèi)加熱所述 組件。
　　3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：將所述組件暴露于選自基本 上由氫基氣體、氮基氣體、氬基氣體、惰性氣體以及它們的組合組成的氣 體組的氣體。
　　4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括：在暴露之后、加熱之前對(duì)所 述爐腔抽真空。
　　5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，加熱包括將所述銅焊材料加熱 到大于920℃的溫度。
　　6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，加熱包括將所述銅焊材料加熱 到大于1050℃的溫度。
　　7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，加熱包括感應(yīng)加熱。
　　8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括用感應(yīng)線圈包圍所述組件的至 少一部分，以感應(yīng)加熱所述銅焊材料。
　　9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在加熱之前將散熱器放置在所 述TSP材料層上。
　　10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在擠壓之前將散熱器放置在所 述TSP材料層上。
　　11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，擠壓包括以至少1000psi的壓 力擠壓所述組件。
　　12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，擠壓包括以1000psi至15000 psi范圍內(nèi)的壓力擠壓所述組件。
　　13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，擠壓包括以5psi至15,000psi 范圍內(nèi)的壓力擠壓所述組件。
　　14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，擠壓包括以5psi至1,000psi 范圍內(nèi)的壓力擠壓所述組件。
　　15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在冷卻之后，所述銅焊材料具 有按體積計(jì)不大于0.1％的孔隙率。
　　16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在冷卻之后，所述銅焊材料具 有按體積計(jì)不大于0.5％的孔隙率。
　　17.一種用于將熱穩(wěn)定多晶金剛石(TSP)材料層銅焊至基體的銅焊系 統(tǒng)，包括： 第一部件，其用于支撐由TSP材料層、銅焊材料和所述基體構(gòu)成的組 件，所述銅焊材料位于所述TSP材料層與所述基體之間； 第二部件，其中，所述第一部件和所述第二部件中的至少一個(gè)能夠移 向所述第一部件和所述第二部件中的另一個(gè)，以對(duì)所述組件施加壓力； 爐腔，其中，所述第一部件和所述第二部件至少部分位于所述爐腔內(nèi)； 真空源，其用于在所述爐腔中抽真空； 第一密封裝置，其在所述第一部件與所述爐腔之間；以及 第二密封裝置，其在所述第二部件與所述爐腔之間。
　　18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的銅焊系統(tǒng)，還包括惰性氣體源，其用于向 被抽真空的爐腔提供惰性氣體。
　　19.一種用于將熱穩(wěn)定多晶金剛石(TSP)材料層銅焊至基體的銅焊系 統(tǒng)，包括： 第一部件，其用于支撐由TSP材料層、銅焊材料和所述基體構(gòu)成的組 件，所述銅焊材料位于所述TSP材料層與所述基體之間； 第二部件，其中，所述第一部件和所述第二部件中的至少一個(gè)能夠移 向所述第一部件和所述第二部件中的另一個(gè)，以對(duì)所述組件施加壓力； 感應(yīng)線圈，其用于包圍所述組件；以及 散熱器，其鄰近所述第二部件。
　　20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的銅焊系統(tǒng)，還包括惰性氣體源，其用于向 所述組件提供惰性氣體。