申請?zhí)枺?01310559536.2

       申請人：昆山科尼電子器材有限公司

       發(fā)明人：尹明 汪力

       摘要： 本發(fā)明公開了一種硅片研磨光學(xué)拋光系統(tǒng)，包括加熱設(shè)備、立軸平面銑磨機和二氧化硅單面拋光機，所述加熱設(shè)備包括加熱底座和圓形載盤，所述載盤上表面為光滑的平面，在所述硅片和所述載盤之間設(shè)置有粘結(jié)蠟層；所述立軸平面銑磨機包括第一機架和第一工作臺，在所述第一工作臺上開設(shè)有多個與所述載盤相匹配的圓形腔室，在所述第一機架上方設(shè)置有金剛石磨盤；采用本發(fā)明所提供的硅片研磨光學(xué)拋光系統(tǒng)，通過加熱設(shè)備、立軸平面銑磨機和二氧化硅單面拋光機的相互配合，研磨過程中不使用研磨砂，減少了廢棄物的排放，同時還提高了生產(chǎn)效率，提高了成品率，降低了生產(chǎn)成本。

       主權(quán)利要求：1.一種硅片研磨光學(xué)拋光系統(tǒng)，其特征在于，包括加熱設(shè)備、立軸平面銑磨機和二氧化硅單面拋光機，所述加熱設(shè)備包括加熱底座和圓形載盤，所述載盤上表面為光滑的平面，在所述硅片和所述載盤之間設(shè)置有粘結(jié)蠟層；所述立軸平面銑磨機包括第一機架和第一工作臺，在所述第一工作臺上開設(shè)有多個與所述載盤相匹配的圓形腔室，在所述第一機架上方設(shè)置有金剛石磨盤。

       2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片研磨光學(xué)拋光系統(tǒng)，其特征在于，所 述二氧化硅單面拋光機包括第二機架和第二工作臺，在所述第二工作臺 上端面設(shè)置有拋光布，在所述第二機架上裝設(shè)有上壓盤，所述上壓盤外 側(cè)套設(shè)有固定套圈，在所述固定套圈下方內(nèi)側(cè)設(shè)置有與之相匹配的所述 載盤，所述載盤位于所述固定套圈和所述拋光布之間； 所述上壓盤至少為一個。

       3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片研磨光學(xué)拋光系統(tǒng)，其特征在于，所 述第一工作臺為圓形工作臺，在所述第一工作臺中央下端面上連接有可 旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動機構(gòu)； 所述圓形腔室均勻分布于所述第一工作臺上，所述多個圓形腔室的 圓心位于同一個圓上。

       4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅片研磨光學(xué)拋光系統(tǒng)，其特征在于，所 述第二工作臺為圓形工作臺，所述上壓盤為4個。

       5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片研磨光學(xué)拋光系統(tǒng)，其特征在于，在 所述上壓盤和所述第二機架之間裝設(shè)有伸縮機構(gòu)。

       6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅片研磨光學(xué)拋光系統(tǒng)，其特征在于，所 述固定套圈橫截面呈橫臥的工字型，所述固定套圈上端與所述上壓盤相 匹配，下端與所述載盤相匹配。

       7.一種硅片研磨光學(xué)拋光系統(tǒng)加工工藝，采用如權(quán)利要求1所述的 硅片研磨光學(xué)拋光系統(tǒng)，其特征在于，具體包括如下步驟： （1）將需要研磨拋光的硅基片用粘結(jié)蠟粘貼到已加熱的載盤上； （2）待載盤冷卻后，放到立軸平面銑磨機工作平臺上，載盤上的硅 片朝上，在該平臺上放滿載盤，啟動立軸平面銑磨機進行研磨； （3）研磨后，取下載盤沖洗干凈硅粉，直接放到二氧化硅單面拋光 機上拋光，載盤上的硅片朝下，加壓1.4kg/c㎡，拋35分鐘后取下載盤， 用自來水將二氧化硅拋光液沖洗干凈，用紗布擦干凈硅片表面； （4）將帶有硅片的載盤一起放到加熱底座上加熱，到粘結(jié)蠟融化， 用單面刀片插入載盤和硅片之間，提起硅片，即可得到單面研磨拋光產(chǎn) 品； （5）將載盤上余蠟擦干凈，均勻涂上新的粘結(jié)蠟，再將硅片已拋光 好的面朝下貼在載盤上，用竹棒輕壓硅片中心，把粘結(jié)蠟層的氣泡趕出 即可，待載盤冷卻后進行第二面研磨、拋光，重復(fù)上述步驟（2）-步驟 （4），即可得到雙面研磨拋光產(chǎn)品。