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申請(qǐng)?zhí)枺?201110173385申請(qǐng)人： 江蘇順大半導(dǎo)體發(fā)展有限公司
摘要：本發(fā)明公開了一種液體拋光單晶硅片的方法，采用混合了細(xì)粒度金剛石磨料的硅溶膠作為液體磨削介質(zhì)，在高速轉(zhuǎn)動(dòng)的渦輪帶動(dòng)下，磨削液相對(duì)于單晶硅片加工表面做高速運(yùn)動(dòng)，磨削液中的金剛石液力推動(dòng)下對(duì)單晶硅片產(chǎn)生一定碰撞和刮擦作用，實(shí)現(xiàn)對(duì)單晶硅片得低應(yīng)力磨削。本發(fā)明提供的液體拋光單晶硅片的方法，使單晶硅片的表面僅存在細(xì)小的磨料劃痕，不會(huì)像化學(xué)機(jī)械拋光法加工的硅片那樣留下腐蝕坑，同時(shí)液體拋光后單晶硅片應(yīng)力層厚度可控制在５ｎｍ以下。
獨(dú)立權(quán)利要求：１．一種液體拋光單晶硅片的方法，其特征在于：該方法包括如下步驟：（１）將粒徑為５μｍ－１５μｍ的金剛石磨料浸泡于無水乙醇溶液中，通過超聲波清洗該金剛石磨料１．０?。琛。保怠。?；（２）將清洗后的金剛石磨料濾出，并置于７０℃－９０℃的烘箱中干燥２?。琛。玻病。?；（３）將干燥后的金剛石磨料浸漬于ＫＨ５５０硅烷偶聯(lián)劑與無水乙醇的體積比為１：４．５－１：５．５的混合液中，密閉加熱至５５℃－６５℃，保溫１．０?。琛。保怠。?；（４）使用濾紙濾出金剛石磨料，置于１４０℃－１６０℃的烘箱中干燥２ ｈ?。玻病。?；（５）將金剛石磨料與固相含量為４．５％－５．５％的硅溶膠按質(zhì)量比為１：９８－１：１００的比例混合，在轉(zhuǎn)速為１００ｒ／ｍｉｎ－１１０ｒ／ｍｉｎ的條件下，攪拌混合１．０ ｈ?。保担?，獲得磨削液；（６）將干燥后的單晶硅片水平置于磨削液內(nèi)，單晶硅片的上方和下方設(shè)有渦輪，調(diào)節(jié)單晶硅片的高度及磨削液量，使單晶硅片的上表面與位于其上方的渦輪底部距離為３ｃｍ－３．５ｃｍ，單晶硅片的下表面與位于其下方的渦輪頂部距離也為３ｃｍ－３．５ｃｍ，且單晶硅片的上表面與磨削液的液面距離為２．５ｃｍ－３ｃｍ；（７）同時(shí)啟動(dòng)兩個(gè)渦輪電機(jī)，設(shè)定其工作時(shí)間為１ｈ－１．５ｈ，轉(zhuǎn)速為２００００ｒ／ｍｉｎ－２２０００ｒ／ｍｉｎ，兩個(gè)渦輪的旋轉(zhuǎn)方向相同；（８）取出單晶硅片，置于無水乙醇中，使用超聲波清洗１ｈ－１．５ｈ；（９）將單晶硅片置于室溫下干燥５ｈ－８ｈ，完成拋光。
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