申請(qǐng)人: 江蘇順大半導(dǎo)體發(fā)展有限公司
摘要:本發(fā)明公開(kāi)了一種液體拋光單晶硅片的方法,采用混合了細(xì)粒度金剛石磨料的硅溶膠作為液體磨削介質(zhì),在高速轉(zhuǎn)動(dòng)的渦輪帶動(dòng)下,磨削液相對(duì)于單晶硅片加工表面做高速運(yùn)動(dòng),磨削液中的金剛石液力推動(dòng)下對(duì)單晶硅片產(chǎn)生一定碰撞和刮擦作用,實(shí)現(xiàn)對(duì)單晶硅片得低應(yīng)力磨削。本發(fā)明提供的液體拋光單晶硅片的方法,使單晶硅片的表面僅存在細(xì)小的磨料劃痕,不會(huì)像化學(xué)機(jī)械拋光法加工的硅片那樣留下腐蝕坑,同時(shí)液體拋光后單晶硅片應(yīng)力層厚度可控制在5nm以下。
獨(dú)立權(quán)利要求:1.一種液體拋光單晶硅片的方法,其特征在于:該方法包括如下步驟:(1)將粒徑為5μm-15μm的金剛石磨料浸泡于無(wú)水乙醇溶液中,通過(guò)超聲波清洗該金剛石磨料1.0 h?。保怠。?;(2)將清洗后的金剛石磨料濾出,并置于70℃-90℃的烘箱中干燥2?。琛。玻病。?;(3)將干燥后的金剛石磨料浸漬于KH550硅烷偶聯(lián)劑與無(wú)水乙醇的體積比為1:4.5-1:5.5的混合液中,密閉加熱至55℃-65℃,保溫1.0?。琛。保怠。?;(4)使用濾紙濾出金剛石磨料,置于140℃-160℃的烘箱中干燥2 h?。玻病。瑁唬ǎ担⒔饎偸チ吓c固相含量為4.5%-5.5%的硅溶膠按質(zhì)量比為1:98-1:100的比例混合,在轉(zhuǎn)速為100r/min-110r/min的條件下,攪拌混合1.0?。琛。保担?,獲得磨削液;(6)將干燥后的單晶硅片水平置于磨削液內(nèi),單晶硅片的上方和下方設(shè)有渦輪,調(diào)節(jié)單晶硅片的高度及磨削液量,使單晶硅片的上表面與位于其上方的渦輪底部距離為3cm-3.5cm,單晶硅片的下表面與位于其下方的渦輪頂部距離也為3cm-3.5cm,且單晶硅片的上表面與磨削液的液面距離為2.5cm-3cm;(7)同時(shí)啟動(dòng)兩個(gè)渦輪電機(jī),設(shè)定其工作時(shí)間為1h-1.5h,轉(zhuǎn)速為20000r/min-22000r/min,兩個(gè)渦輪的旋轉(zhuǎn)方向相同;(8)取出單晶硅片,置于無(wú)水乙醇中,使用超聲波清洗1h-1.5h;(9)將單晶硅片置于室溫下干燥5h-8h,完成拋光。