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官方微信摘要 名稱釩不占主導(dǎo)的半絕緣碳化硅公開號(hào)1351680公開日2002.05.29主分類號(hào)C30B29/36
| 名稱 | 釩不占主導(dǎo)的半絕緣碳化硅 | ||
| 公開號(hào) | 1351680 | 公開日 | 2002.05.29 |
| 主分類號(hào) | C30B29/36 | 分類號(hào) | C30B29/36;C30B23/00;C30B33/00 |
| 申請?zhí)?/strong> | 00807706.1 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 2000.05.17 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | 1999.5.18__US_09/313,802 | |
| 申請人 | 克里公司 | 地址 | 美國北卡羅萊納 |
| 發(fā)明人 | C·H·小卡特;M·布拉迪;V·F·茨維特科夫 | 國際申請 | PCT/US00/13557 2000.5.17 |
| 國際公布 | WO00/71787 英 2000.11.30 | 進(jìn)入國家日期 | 2001.11.16 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 龍傳紅 |
| 摘要 | 公開了一個(gè)半絕緣碳化硅體單晶材料，在室溫下其電阻率至少為 5000Ω－cm，其深能級(jí)陷阱元素的濃度比影響這個(gè)材料的電阻率的濃度值低，優(yōu)選地比可檢測濃度低，也公開了形成這個(gè)晶體的一個(gè)方法，和某些產(chǎn)生的器件，這些器件利用了使用根據(jù)本發(fā)明襯底而形成的微波頻率能力。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號(hào)