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純碳粉水基分散一步法制造反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷材料的方法

關(guān)鍵詞 純碳粉水基|2010-12-23 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱純碳粉水基分散一步法制造反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷材料的方法公開號1264687公開日2000.08.30主分類號C04

 

名稱 純碳粉水基分散一步法制造反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷材料的方法 
公開號 1264687  公開日 2000.08.30   
主分類號 C04B35/573  分類號 C04B35/573 
申請?zhí)?/strong> 00114425.1   
分案原申請?zhí)?/strong>   申請日 2000.03.15   
頒證日   優(yōu)先權(quán)  
申請人 武漢工業(yè)大學(xué)    地址 430070湖北省武漢武昌珞獅路112號  
發(fā)明人 武七德; 魏明坤; 王懷德; 韓建軍; 洪小林    國際申請  
國際公布   進(jìn)入國家日期  
專利代理機(jī)構(gòu) 湖北省專利事務(wù)所    代理人 盛亞仙   
摘要   一種用水為分散劑,以純碳粉取代碳化硅粉制造高性能反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷的方法,采用添加外加劑的方法制成高分散的水基泥漿(料),采用注漿、擠塑、凝膠注成型的方法制成生坯,用控制粉料粒徑以及燒蝕劑、填充劑加入量的方法,調(diào)整生(素)坯的孔徑分布和單位體積碳含量,生坯經(jīng)干燥后,經(jīng)1550~21650℃真空下或1850~2050℃氬氣氣氛下滲硅燒結(jié)2小時,制得反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷材料。  
 

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