名稱 | 無色碳化硅晶體的生長 | ||
公開號 | 1210565 | 公開日 | 1999.03.10 |
主分類號 | C30B23/00 | 分類號 | C30B23/00 |
申請?zhí)?/strong> | 97192084.2 | ||
分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1997.01.24 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1996.2.5[33]US[31]08/596,526 | |
申請人 | 克里研究公司 | 地址 | 美國北卡羅來納州 |
發(fā)明人 | C·H·卡特; V·F·特斯維特科夫; R·C·格拉絲 | 國際申請 | PCT/US97/01292 97.1.24 |
國際公布 | WO97/28297 英 97.8.7 | 進入國家日期 | 1998.08.05 |
專利代理機構(gòu) | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 龍傳紅 |
摘要 | 在一個爐式升華系統(tǒng)中生長了大尺寸的單晶碳化硅。為了產(chǎn)生基本無色的晶體,生長了具有均衡含量的p型和n型摻雜劑(大致等量的兩種摻雜劑)。所說的晶體可以琢磨加工成具有超常韌性和硬度以及滿足或超過鉆石的光彩的人造寶石。 |