今年6月，功率半導體業(yè)界的盛會“PCIM China 2010”在上海光大會展中心舉行，國內(nèi)外知名功率半導體廠商向與會觀眾展示了各自推出的新產(chǎn)品和眾多高能效解決方案。本屆展會功率半導體在新能源領(lǐng)域的應用成為熱點，新材料為中國企業(yè)帶來更多的發(fā)展機會
　　據(jù)浙江大學電氣工程學院長江特聘教授盛況介紹，碳化硅、氮化鎵和金剛石是常見的三種寬禁帶半導體材料，目前已有多家國外企業(yè)批量生產(chǎn)4英寸碳化硅晶圓，6英寸的碳化硅晶圓也將很快出現(xiàn)，使碳化硅成為三種寬禁帶材料中最成熟的技術(shù)，為碳化硅功率器件的發(fā)展提供堅實的基礎(chǔ)。“不過，由于碳化硅單晶片和外延材料的價格昂貴，使得碳化硅器件的價格都相當高，這成為它們大規(guī)模進入市場應用的一個門檻。”盛況補充道。
　　國外企業(yè)也沒有忽視新材料、新器件的研發(fā)。“從2009年到2011年的三年間，我們將集中力量研發(fā)碳化硅器件。”西村隆司說，“由于碳化硅器件的成本很高，所以，市場對這種器件的認可度取決于它能在多大程度上降低系統(tǒng)的整體成本。舉例而言，在高速電氣列車上，如果用硅基IGBT，需要配備一個很大的冷卻裝置；但如果使用碳化硅器件，冷卻裝置就可以小型化甚至可以省去，這對高速列車而言很有吸引力。因此，碳化硅器件將在特定的領(lǐng)域逐漸發(fā)揮其優(yōu)勢。”