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摘要 日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所采用微波等離子體CVD（化學氣相沉積）法，首次利用氣體制作出體積1立方厘米級的無裂紋單晶金剛石。此次采用容易擴大合成面積的氣體為原料，制作出全球最大級的高品質(zhì)...
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所采用微波等離子體CVD（化學氣相沉積）法，首次利用氣體制作出體積1立方厘米級的無裂紋單晶金剛石。此次采用容易擴大合成面積的氣體為原料，制作出全球最大級的高品質(zhì)晶體，這一成果是向?qū)崿F(xiàn)大型晶圓邁出的重要一步。
功率半導體廣泛應用于電力基礎(chǔ)設(shè)施、汽車、鐵路車輛、工業(yè)設(shè)備及家電等各種產(chǎn)品和設(shè)備，是支撐這些產(chǎn)品和設(shè)備實現(xiàn)高性能化及節(jié)能化的重要器件。此次的成果不僅能應用于功率半導體等電子領(lǐng)域，預計還可應用于自旋電子領(lǐng)域。金剛石能在室溫和常壓下處理空間分辨率較高的量子信息等，因此有望進一步提高傳感器和量子計算設(shè)備等的性能。
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